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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho2Ga9Tc2Ru3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3258157 · 空间群: I4/mmm (#139)

基础信息

化学式
Ho2Ga9Tc2Ru3
MP-ID
mp-3258157
元素数
4
位点数
16
密度
9.6276
g/cm³
体积
251.23
ų
晶胞参数 a
7.9224
Å
晶胞参数 b
7.9224
Å
晶胞参数 c
7.9224
Å
α 角
134.23
°
β 角
134.23
°
γ 角
66.73
°
空间群
I4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.55270
eV/atom
能量/原子
-19.11211
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.1121
eV/atom
体积/原子
15.70
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0003
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.563
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.438
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1574
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.6224
J/mol·K
Ω 参数
13.4080
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.516%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2673
越小混合越稳定
VEC
5.188
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.847
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8349
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3258157
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho2Ga9Tc2Ru3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3258157, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho2Ga9Tc2Ru3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.92239532
_cell_length_b   7.92239524
_cell_length_c   7.92239580
_cell_angle_alpha   134.22897147
_cell_angle_beta   134.22897401
_cell_angle_gamma   66.73059664
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho2Ga9Tc2Ru3
_chemical_formula_sum   'Ho2 Ga9 Tc2 Ru3'
_cell_volume   251.22685333
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.43846820  0.85772806  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.14227194  0.14227194  0.58074014  1.0
  Ga  Ga4  1  0.85772806  0.43846820  0.00000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.85772806  0.85772806  0.41925986  1.0
  Ga  Ga6  1  0.56153180  0.14227194  1.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.14227194  0.56153180  1.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.56153180  0.56153180  0.41925986  1.0
  Ga  Ga9  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.43846820  0.43846820  0.58074014  1.0
  Tc  Tc11  1  0.18346892  0.18346892  1.00000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.81653108  0.81653108  0.00000000  1.0
  Ru  Ru13  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Ru  Ru14  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  Ru  Ru15  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
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