Tb2U2Ga12Pd

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3258164 · 空间群: Fmmm (#69)

Materials Project API

基础信息

化学式

Tb2U2Ga12Pd

MP-ID

mp-3258164

元素数

位点数

密度

9.0805

g/cm³

体积

317.64

Å³

晶胞参数 a

7.4546

晶胞参数 b

7.4545

晶胞参数 c

7.4352

α 角

109.64

β 角

109.64

γ 角

109.25

空间群

Fmmm

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
14.56	6.0848	1.2	(1,0,-1)
14.57	6.0782	10.2	(1,-1,0)
14.63	6.0545	4.6	(0,0,1)
20.58	4.3157	21.0	(1,1,-1)
20.71	4.2895	41.3	(1,-1,1)
25.31	3.5189	1.7	(2,0,-1)
25.34	3.5143	7.6	(1,1,-2)
25.37	3.5105	1.3	(2,-1,0)
25.44	3.5014	1.0	(1,0,-2)
29.36	3.0424	94.3	(2,0,-2)
29.36	3.0424	31.4	(0,2,0)
29.39	3.0391	31.2	(2,-2,0)
29.51	3.0273	31.3	(0,0,2)
32.83	2.7278	7.6	(2,1,-2)
33.00	2.7146	5.6	(2,-1,-2)
33.00	2.7146	1.9	(1,-2,-1)
33.06	2.7098	11.8	(1,-1,2)
36.15	2.4848	100.0	(3,-1,-1)
36.15	2.4848	100.0	(1,-3,1)
36.25	2.4783	98.6	(1,1,-3)
36.25	2.4783	98.6	(1,1,1)
39.11	2.3031	3.1	(3,0,-2)
39.11	2.3031	3.1	(0,3,-2)
39.16	2.3005	5.8	(2,1,-3)

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能量属性

形成能/原子

-0.57356

eV/atom

能量/原子

-23.08007

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-23.0801

eV/atom

体积/原子

18.68

Å³

c/a 比

0.9974

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

5.2121

μB

磁有序

FiM

磁性位点数

磁化强度/体积

0.016410

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.706

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.294

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9161

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.6162

J/mol·K

Ω 参数

1.2419

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.699%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2787

越小混合越稳定

VEC

4.267

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-4.160

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.6608

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdjua

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3258164

参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2U2Ga12Pd were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3258164, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Tb2U2Ga12Pd
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.45454502
_cell_length_b   7.45454451
_cell_length_c   7.43522353
_cell_angle_alpha   109.63595630
_cell_angle_beta   109.63595347
_cell_angle_gamma   109.24794200
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2U2Ga12Pd
_chemical_formula_sum   'Tb2 U2 Ga12 Pd1'
_cell_volume   317.64275837
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.00000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Tb  Tb1  1  0.50000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  U  U2  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  U  U3  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.24973528  0.50077636  0.75051164  1.0
  Ga  Ga5  1  0.99877741  0.70375345  0.70253086  1.0
  Ga  Ga6  1  0.29573594  0.29573594  1.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.49922364  0.75026472  0.24948836  1.0
  Ga  Ga8  1  0.75000000  0.25000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.75026472  0.49922364  0.24948836  1.0
  Ga  Ga10  1  0.25000000  0.75000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.70375345  0.99877741  0.70253086  1.0
  Ga  Ga12  1  0.50077636  0.24973528  0.75051164  1.0
  Ga  Ga13  1  0.00122259  0.29624655  0.29746914  1.0
  Ga  Ga14  1  0.29624655  0.00122259  0.29746914  1.0
  Ga  Ga15  1  0.70426406  0.70426406  0.00000000  1.0
  Pd  Pd16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0

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