导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ti10Ga5SiO

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3258496 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Ti10Ga5SiO
MP-ID
mp-3258496
元素数
4
位点数
17
密度
5.6173
g/cm³
体积
257.59
ų
晶胞参数 a
7.5340
Å
晶胞参数 b
7.5298
Å
晶胞参数 c
5.2422
Å
α 角
90.17
°
β 角
89.91
°
γ 角
119.98
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.85098
eV/atom
能量/原子
-12.69438
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.6944
eV/atom
体积/原子
15.15
ų
c/a 比
0.6958

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
2.4636
μB
磁有序
FM
磁性位点数
4
磁化强度/体积
0.009560
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ti · 0.588
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.412
间隙分数
0.059
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0054
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.3588
J/mol·K
Ω 参数
0.2451
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.219%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4431
越小混合越稳定
VEC
3.706
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-45.478
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7252
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3258496
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ti10Ga5SiO were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3258496, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ti10Ga5SiO
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.53395550
_cell_length_b   7.52983411
_cell_length_c   5.24216881
_cell_angle_alpha   90.17092989
_cell_angle_beta   89.91458181
_cell_angle_gamma   119.98190636
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ti10Ga5SiO
_chemical_formula_sum   'Ti10 Ga5 Si1 O1'
_cell_volume   257.58900017
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.00000000  0.75908101  0.25838414  1.0
  Ti  Ti1  1  0.23093423  0.23552129  0.25470934  1.0
  Ti  Ti2  1  0.76906577  0.00458706  0.25470934  1.0
  Ti  Ti3  1  0.00000000  0.23835999  0.74472393  1.0
  Ti  Ti4  1  0.76602795  0.76719989  0.74489389  1.0
  Ti  Ti5  1  0.23397205  0.00117195  0.74489389  1.0
  Ti  Ti6  1  0.32819861  0.66283864  0.49747463  1.0
  Ti  Ti7  1  0.67180139  0.33464003  0.49747463  1.0
  Ti  Ti8  1  0.66857542  0.33281671  0.00196439  1.0
  Ti  Ti9  1  0.33142458  0.66424229  0.00196439  1.0
  Ga  Ga10  1  0.60221167  0.60280228  0.24587143  1.0
  Ga  Ga11  1  0.39778833  0.00059061  0.24587143  1.0
  Ga  Ga12  1  0.00000000  0.60292471  0.75829259  1.0
  Ga  Ga13  1  0.40148935  0.39944715  0.75354298  1.0
  Ga  Ga14  1  0.59851065  0.99795780  0.75354298  1.0
  Si  Si15  1  1.00000000  0.39693417  0.24052114  1.0
  O  O16  1  1.00000000  0.99888441  0.50116290  1.0
获取直接链接