HoTm3(InGa2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3258561 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

HoTm3(InGa2)2

MP-ID

mp-3258561

元素数

位点数

密度

8.9251

g/cm³

体积

219.59

Å³

晶胞参数 a

7.0973

晶胞参数 b

7.0973

晶胞参数 c

4.3595

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

89.81

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
17.64	5.0269	1.1	(1,1,0)
20.37	4.3595	3.5	(0,0,1)
25.09	3.5486	4.4	(2,0,0)
27.07	3.2935	11.4	(1,1,1)
27.11	3.2888	10.8	(1,-1,1)
28.08	3.1782	14.1	(2,1,0)
28.15	3.1698	14.1	(2,-1,0)
32.53	2.7521	90.3	(2,0,1)
34.94	2.5682	99.3	(2,1,1)
35.00	2.5637	100.0	(2,-1,1)
35.72	2.5135	9.6	(2,2,0)
35.85	2.5051	9.0	(2,-2,0)
40.14	2.2466	33.6	(3,1,0)
40.22	2.2421	33.7	(3,-1,0)
41.42	2.1797	45.7	(0,0,2)
46.04	1.9715	3.2	(3,2,0)
46.19	1.9654	3.2	(3,-2,0)
49.05	1.8573	1.6	(2,0,2)
50.79	1.7976	5.7	(2,1,2)
50.83	1.7963	1.6	(3,2,1)
50.84	1.7961	5.7	(2,-1,2)
50.97	1.7917	1.5	(3,-2,1)
51.51	1.7743	3.4	(4,0,0)
53.17	1.7227	9.3	(4,1,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.71724

eV/atom

能量/原子

-23.63452

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-23.6345

eV/atom

体积/原子

21.96

Å³

c/a 比

0.6143

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0108

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000050

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.400

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.600

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2799

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6407

J/mol·K

Ω 参数

3.4155

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.767%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2722

越小混合越稳定

VEC

6.800

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.885

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9232

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdkjh

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3258561

参考引用

The crystal structure and related material properties of HoTm3(InGa2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3258561, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HoTm3(InGa2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.09728174
_cell_length_b   7.09728174
_cell_length_c   4.35947407
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   89.80853181
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoTm3(InGa2)2
_chemical_formula_sum   'Ho1 Tm3 In2 Ga4'
_cell_volume   219.59162149
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.67182125  0.17182125  0.50000000  1.0
  Tm  Tm1  1  0.32772385  0.82772385  0.50000000  1.0
  Tm  Tm2  1  0.82863960  0.67193881  0.50000000  1.0
  Tm  Tm3  1  0.17193881  0.32863960  0.50000000  1.0
  In  In4  1  0.99999917  0.99993740  0.00000000  1.0
  In  In5  1  0.49993740  0.49999917  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.12572428  0.62572428  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.62503367  0.87355310  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.37355310  0.12503367  0.00000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.87562888  0.37562888  0.00000000  1.0

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