Ho10Ga3TcBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3259231 · 空间群: Fmm2 (#42)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho10Ga3TcBi2

MP-ID

mp-3259231

元素数

位点数

密度

9.4271

g/cm³

体积

418.25

Å³

晶胞参数 a

8.6420

晶胞参数 b

8.6420

晶胞参数 c

8.7405

α 角

125.63

β 角

125.63

γ 角

79.72

空间群

Fmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.00	6.8124	1.0	(1,0,0)
13.00	6.8124	3.1	(0,1,0)
15.57	5.6915	2.3	(0,0,1)
16.00	5.5390	8.4	(1,-1,0)
20.56	4.3195	4.4	(1,1,0)
20.89	4.2517	1.2	(2,0,-1)
20.89	4.2517	1.2	(0,2,-1)
22.40	3.9695	1.8	(1,-1,-1)
22.40	3.9695	1.8	(1,-1,1)
25.71	3.4650	19.6	(1,0,1)
26.25	3.3955	27.4	(2,-1,-1)
31.21	2.8657	48.9	(2,2,-1)
31.44	2.8458	18.6	(0,0,2)
31.44	2.8456	36.7	(3,1,-2)
32.12	2.7871	99.7	(2,1,0)
32.32	2.7695	22.3	(2,-2,0)
32.55	2.7505	100.0	(3,0,-1)
35.11	2.5557	1.3	(3,-1,-1)
35.26	2.5452	23.6	(3,1,-1)
35.26	2.5452	70.9	(1,3,-1)
35.46	2.5312	96.0	(1,-1,2)
36.07	2.4903	69.9	(2,-2,1)
39.69	2.2708	2.2	(3,0,0)
40.81	2.2112	8.2	(3,3,-3)

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能量属性

形成能/原子

-0.63289

eV/atom

能量/原子

-32.26483

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-32.2648

eV/atom

体积/原子

26.14

Å³

c/a 比

1.0114

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0124

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000030

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.625

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.375

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0408

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6535

J/mol·K

Ω 参数

13.4920

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.387%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3270

越小混合越稳定

VEC

8.375

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.873

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7508

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdljb

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3259231

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10Ga3TcBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3259231, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho10Ga3TcBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.64198134
_cell_length_b   8.64198066
_cell_length_c   8.74053315
_cell_angle_alpha   125.63041180
_cell_angle_beta   125.63041635
_cell_angle_gamma   79.72366238
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10Ga3TcBi2
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga3 Tc1 Bi2'
_cell_volume   418.24577294
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.00487246  0.00867707  0.01355054  1.0
  Ho  Ho1  1  0.49132293  0.49512754  0.98644946  1.0
  Ho  Ho2  1  0.01564917  0.50389948  0.80134354  1.0
  Ho  Ho3  1  0.71430563  0.20255494  0.19865646  1.0
  Ho  Ho4  1  0.51966998  0.70502130  0.50000000  1.0
  Ho  Ho5  1  0.19400574  0.03813873  0.50000000  1.0
  Ho  Ho6  1  0.99610052  0.48435083  0.19865646  1.0
  Ho  Ho7  1  0.29744506  0.78569437  0.80134354  1.0
  Ho  Ho8  1  0.46186127  0.30599426  0.50000000  1.0
  Ho  Ho9  1  0.79497870  0.98033002  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36200816  0.85543291  0.21743907  1.0
  Ga  Ga11  1  0.64456709  0.13799184  0.78256093  1.0
  Ga  Ga12  1  0.86751582  0.63248418  0.50000000  1.0
  Tc  Tc13  1  0.12651837  0.37348163  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.75459105  0.74540895  1.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.25459105  0.24540895  1.00000000  1.0

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