导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm5GaSnSb

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3259303 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Tm5GaSnSb
MP-ID
mp-3259303
元素数
4
位点数
16
密度
9.2527
g/cm³
体积
414.52
ų
晶胞参数 a
8.6377
Å
晶胞参数 b
8.6567
Å
晶胞参数 c
6.3965
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.93
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.80 7.5024 1.5 (0,1,0)
11.82 7.4859 1.2 (1,0,0)
11.82 7.4859 1.2 (1,-1,0)
20.52 4.3283 3.2 (1,1,0)
23.72 3.7512 12.9 (0,2,0)
23.77 3.7430 7.1 (2,0,0)
24.84 3.5848 3.6 (1,1,1)
24.88 3.5794 2.5 (2,-1,1)
27.61 3.2305 3.6 (2,0,1)
27.90 3.1983 30.9 (0,0,2)
30.38 2.9421 10.3 (0,1,2)
30.39 2.9411 48.1 (1,0,2)
31.56 2.8348 11.0 (1,2,0)
31.59 2.8321 32.7 (2,1,0)
31.64 2.8276 37.7 (3,-1,0)
34.61 2.5917 96.0 (1,2,1)
34.64 2.5896 62.1 (2,1,1)
34.69 2.5862 56.9 (3,-1,1)
34.88 2.5722 100.0 (1,1,2)
34.91 2.5702 67.3 (2,-1,2)
35.91 2.5008 18.7 (0,3,0)
35.99 2.4953 57.3 (3,0,0)
36.93 2.4338 5.7 (0,2,2)
36.97 2.4315 3.9 (2,0,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.83417
eV/atom
能量/原子
-30.52174
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.5217
eV/atom
体积/原子
25.91
ų
c/a 比
0.7405

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.7744
μB
磁有序
FM
磁性位点数
7
磁化强度/体积
0.001870
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0735
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.9254
J/mol·K
Ω 参数
13.0552
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.616%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3395
越小混合越稳定
VEC
9.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.923
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7744
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3259303
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm5GaSnSb were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3259303, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm5GaSnSb
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.63768361
_cell_length_b   8.65670813
_cell_length_c   6.39650565
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.92732476
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm5GaSnSb
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga2 Sn2 Sb2'
_cell_volume   414.51577784
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.34278174  0.68678533  0.00199741  1.0
  Tm  Tm1  1  0.65599742  0.31321467  0.49800259  1.0
  Tm  Tm2  1  0.65599742  0.31321467  0.00199741  1.0
  Tm  Tm3  1  0.34278174  0.68678533  0.49800259  1.0
  Tm  Tm4  1  0.24098224  1.00000000  0.25000000  1.0
  Tm  Tm5  1  0.75768058  0.00000000  0.75000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.98785446  0.23107614  0.25000000  1.0
  Tm  Tm7  1  0.75678032  0.76892386  0.25000000  1.0
  Tm  Tm8  1  0.24392053  0.22947045  0.75000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.01445008  0.77052955  0.75000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.60320579  1.00000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.39862349  0.00000000  0.75000000  1.0
  Sn  Sn12  1  0.99340100  0.60378830  0.25000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.38961170  0.39621170  0.25000000  1.0
  Sb  Sb14  1  0.61038585  0.60484020  0.75000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.00554565  0.39515980  0.75000000  1.0
获取直接链接