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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm8In4Ga7Ag

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3259886 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Tm8In4Ga7Ag
MP-ID
mp-3259886
元素数
4
位点数
20
密度
9.0662
g/cm³
体积
440.80
ų
晶胞参数 a
7.1419
Å
晶胞参数 b
7.1419
Å
晶胞参数 c
8.6420
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.01
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
17.56 5.0504 3.5 (1,-1,0)
17.56 5.0498 2.6 (1,1,0)
20.55 4.3210 5.9 (0,0,2)
24.94 3.5710 5.3 (0,2,0)
24.94 3.5710 5.3 (2,0,0)
27.16 3.2833 19.4 (1,-1,2)
27.16 3.2832 13.0 (1,1,2)
27.16 3.2831 13.0 (1,1,-2)
27.93 3.1941 14.7 (1,-2,0)
27.93 3.1941 14.7 (2,-1,0)
27.94 3.1938 14.0 (1,2,0)
27.94 3.1938 14.0 (2,1,0)
32.53 2.7526 48.6 (0,2,2)
32.53 2.7526 48.6 (2,0,2)
32.53 2.7526 48.6 (0,2,-2)
32.53 2.7526 48.6 (2,0,-2)
34.93 2.5685 57.0 (1,-2,-2)
34.93 2.5685 57.0 (2,-1,2)
34.93 2.5685 57.0 (1,-2,2)
34.93 2.5685 57.0 (2,-1,-2)
34.93 2.5684 56.8 (1,2,2)
34.93 2.5684 56.8 (2,1,2)
34.93 2.5684 56.8 (1,2,-2)
34.93 2.5684 56.8 (2,1,-2)
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能量属性

形成能/原子
-0.67312
eV/atom
能量/原子
-24.31002
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.3100
eV/atom
体积/原子
22.04
ų
c/a 比
1.2100

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0077
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.400
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2056
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0236
J/mol·K
Ω 参数
2.6665
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.451%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2760
越小混合越稳定
VEC
7.400
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.687
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8697
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3259886
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm8In4Ga7Ag were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3259886, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm8In4Ga7Ag
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.14189928
_cell_length_b   7.14190803
_cell_length_c   8.64200836
_cell_angle_alpha   89.99923847
_cell_angle_beta   89.99923647
_cell_angle_gamma   90.00687314
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm8In4Ga7Ag
_chemical_formula_sum   'Tm8 In4 Ga7 Ag1'
_cell_volume   440.80108352
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.82527401  0.17153453  0.50235113  1.0
  Tm  Tm1  1  0.17153435  0.82527552  0.50235194  1.0
  Tm  Tm2  1  0.33116468  0.33116225  0.99665593  1.0
  Tm  Tm3  1  0.67147481  0.67147610  0.99891444  1.0
  Tm  Tm4  1  0.67147245  0.67147461  0.50112200  1.0
  Tm  Tm5  1  0.33115293  0.33115041  0.50338573  1.0
  Tm  Tm6  1  0.17152192  0.82517568  0.99767597  1.0
  Tm  Tm7  1  0.82517346  0.17152121  0.99767535  1.0
  In  In8  1  0.50236412  0.99972328  0.25007839  1.0
  In  In9  1  0.99886233  0.50051556  0.74976824  1.0
  In  In10  1  0.50051509  0.99886203  0.74976819  1.0
  In  In11  1  0.99972282  0.50236422  0.25007841  1.0
  Ga  Ga12  1  0.62617165  0.37369386  0.25003406  1.0
  Ga  Ga13  1  0.37369352  0.62617187  0.25003441  1.0
  Ga  Ga14  1  0.12371126  0.12371181  0.75005276  1.0
  Ga  Ga15  1  0.87533207  0.87533235  0.75003306  1.0
  Ga  Ga16  1  0.37496150  0.62437724  0.75001645  1.0
  Ga  Ga17  1  0.62437910  0.37495913  0.75001479  1.0
  Ga  Ga18  1  0.87261930  0.87261945  0.25000894  1.0
  Ag  Ag19  1  0.12890063  0.12890091  0.24997580  1.0
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