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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

HoTh3Ga6Ir7

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3259937 · 空间群: R-3m (#166)

基础信息

化学式
HoTh3Ga6Ir7
MP-ID
mp-3259937
元素数
4
位点数
17
密度
14.1172
g/cm³
体积
308.76
ų
晶胞参数 a
7.3865
Å
晶胞参数 b
7.3865
Å
晶胞参数 c
7.3395
Å
α 角
109.34
°
β 角
109.34
°
γ 角
109.60
°
空间群
R-3m
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hR
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.90919
eV/atom
能量/原子
-41.40797
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-41.4080
eV/atom
体积/原子
18.16
ų
c/a 比
0.9936

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0035
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ir · 0.412
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.588
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2057
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0242
J/mol·K
Ω 参数
3.2225
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.604%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3564
越小混合越稳定
VEC
5.765
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.319
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8697
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3259937
参考引用

The crystal structure and related material properties of HoTh3Ga6Ir7 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3259937, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_HoTh3Ga6Ir7
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.38653818
_cell_length_b   7.38653817
_cell_length_c   7.33950113
_cell_angle_alpha   109.34227030
_cell_angle_beta   109.34227027
_cell_angle_gamma   109.59986264
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoTh3Ga6Ir7
_chemical_formula_sum   'Ho1 Th3 Ga6 Ir7'
_cell_volume   308.75586505
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.00000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Th  Th2  1  0.50000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Th  Th3  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.68296884  0.68296884  0.00693177  1.0
  Ga  Ga5  1  0.31703116  1.00000000  0.32396293  1.0
  Ga  Ga6  1  1.00000000  0.31703116  0.32396293  1.0
  Ga  Ga7  1  0.31703116  0.31703116  0.99306823  1.0
  Ga  Ga8  1  0.68296884  0.00000000  0.67603707  1.0
  Ga  Ga9  1  0.00000000  0.68296884  0.67603707  1.0
  Ir  Ir10  1  0.75050110  0.24949890  0.50000000  1.0
  Ir  Ir11  1  0.75050110  0.50100221  0.25050110  1.0
  Ir  Ir12  1  0.49899779  0.24949890  0.74949890  1.0
  Ir  Ir13  1  0.24949890  0.49899779  0.74949890  1.0
  Ir  Ir14  1  0.24949890  0.75050110  0.50000000  1.0
  Ir  Ir15  1  0.50100221  0.75050110  0.25050110  1.0
  Ir  Ir16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
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