Ti10GaSi4Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3260399 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ti10GaSi4Ge

MP-ID

mp-3260399

元素数

位点数

密度

4.8673

g/cm³

体积

250.20

Å³

晶胞参数 a

7.4910

晶胞参数 b

7.4910

晶胞参数 c

5.1527

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.08

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.64	6.4900	3.9	(1,-1,0,0)
13.66	6.4822	42.3	(1,0,-1,0)
22.04	4.0336	8.9	(1,0,-1,1)
23.76	3.7455	3.6	(2,-1,-1,0)
27.52	3.2411	8.4	(2,0,-2,0)
32.64	2.7435	12.6	(2,0,-2,1)
34.82	2.5763	31.2	(0,0,0,2)
36.64	2.4526	31.1	(3,-2,-1,0)
36.66	2.4513	11.8	(3,-1,-2,0)
36.69	2.4492	10.7	(2,1,-3,0)
37.56	2.3946	24.7	(1,-1,0,2)
37.57	2.3942	5.9	(1,0,-1,2)
40.75	2.2145	23.0	(3,-2,-1,1)
40.76	2.2136	78.3	(3,-1,-2,1)
40.79	2.2120	72.4	(2,1,-3,1)
41.75	2.1633	35.9	(3,-3,0,0)
41.81	2.1607	50.6	(3,0,-3,0)
42.59	2.1227	100.0	(2,-1,-1,2)
42.61	2.1218	30.5	(1,1,-2,2)
44.92	2.0177	6.0	(2,-2,0,2)
44.95	2.0168	5.1	(2,0,-2,2)
45.52	1.9926	2.4	(3,0,-3,1)
50.72	1.7998	1.9	(4,-3,-1,0)
50.80	1.7973	4.1	(3,1,-4,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.73430

eV/atom

能量/原子

-12.59601

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.5960

eV/atom

体积/原子

15.64

Å³

c/a 比

0.6879

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0025

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ti · 0.625

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9869

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.2051

J/mol·K

Ω 参数

0.2844

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

9.536%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1794

越小混合越稳定

VEC

3.938

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-49.901

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7119

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdnbz

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3260399

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ti10GaSi4Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3260399, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ti10GaSi4Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.49098005
_cell_length_b   7.49098055
_cell_length_c   5.15266506
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.07964798
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ti10GaSi4Ge
_chemical_formula_sum   'Ti10 Ga1 Si4 Ge1'
_cell_volume   250.20197639
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.00363826  0.74992206  0.75000000  1.0
  Ti  Ti1  1  0.24307059  0.24307059  0.75000000  1.0
  Ti  Ti2  1  0.99676871  0.25084530  0.25000000  1.0
  Ti  Ti3  1  0.33018119  0.66870386  0.49990959  1.0
  Ti  Ti4  1  0.74992206  0.00363826  0.75000000  1.0
  Ti  Ti5  1  0.75756143  0.75756143  0.25000000  1.0
  Ti  Ti6  1  0.33018119  0.66870386  0.00009041  1.0
  Ti  Ti7  1  0.25084530  0.99676871  0.25000000  1.0
  Ti  Ti8  1  0.66870386  0.33018119  0.49990959  1.0
  Ti  Ti9  1  0.66870386  0.33018119  0.00009041  1.0
  Ga  Ga10  1  0.60896383  0.60896383  0.75000000  1.0
  Si  Si11  1  0.39199965  0.00163538  0.75000000  1.0
  Si  Si12  1  0.99771076  0.60826034  0.25000000  1.0
  Si  Si13  1  0.60826034  0.99771076  0.25000000  1.0
  Si  Si14  1  0.00163538  0.39199965  0.75000000  1.0
  Ge  Ge15  1  0.39185360  0.39185360  0.25000000  1.0

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