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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3260728 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ho10(GaTe)3
MP-ID
mp-3260728
元素数
3
位点数
16
密度
8.9650
g/cm³
体积
415.14
ų
晶胞参数 a
8.6943
Å
晶胞参数 b
8.6890
Å
晶胞参数 c
6.3467
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.02
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.86720
eV/atom
能量/原子
-28.32929
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-28.3293
eV/atom
体积/原子
25.95
ų
c/a 比
0.7300

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.1839
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000440
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9215
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.6613
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.321%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3620
越小混合越稳定
VEC
8.188
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8388
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3260728
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10(GaTe)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3260728, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho10(GaTe)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.69431120
_cell_length_b   8.68899120
_cell_length_c   6.34665549
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.02025951
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10(GaTe)3
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga3 Te3'
_cell_volume   415.13695707
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.76113540  0.74730969  0.25000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.01382570  0.25269031  0.25000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.32770923  0.66720335  0.00320505  1.0
  Ho  Ho3  1  0.24539876  0.23343241  0.75000000  1.0
  Ho  Ho4  1  0.75014661  1.00000000  0.75000000  1.0
  Ho  Ho5  1  0.23635271  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ho  Ho6  1  0.66050688  0.33279665  0.00320505  1.0
  Ho  Ho7  1  0.01196635  0.76656759  0.75000000  1.0
  Ho  Ho8  1  0.32770923  0.66720335  0.49679495  1.0
  Ho  Ho9  1  0.66050688  0.33279665  0.49679495  1.0
  Ga  Ga10  1  0.39590463  1.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99765346  0.60456782  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.39308564  0.39543218  0.25000000  1.0
  Te  Te13  1  0.99806970  0.39043054  0.75000000  1.0
  Te  Te14  1  0.61239167  0.00000000  0.25000000  1.0
  Te  Te15  1  0.60763915  0.60956946  0.75000000  1.0
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