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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V9Si(TcGe)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3261012 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V9Si(TcGe)3
MP-ID
mp-3261012
元素数
4
位点数
16
密度
7.8310
g/cm³
体积
211.73
ų
晶胞参数 a
4.7337
Å
晶胞参数 b
4.7500
Å
晶胞参数 c
9.4163
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.09
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.51499
eV/atom
能量/原子
-16.45811
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.4581
eV/atom
体积/原子
13.23
ų
c/a 比
1.9892

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0027
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.563
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.438
间隙分数
0.063
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1247
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3505
J/mol·K
Ω 参数
2.3857
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
3.944%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1614
越小混合越稳定
VEC
4.750
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-7.902
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8113
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3261012
参考引用

The crystal structure and related material properties of V9Si(TcGe)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3261012, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V9Si(TcGe)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.73374328
_cell_length_b   4.74997126
_cell_length_c   9.41625181
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.09100136
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V9Si(TcGe)3
_chemical_formula_sum   'V9 Si1 Tc3 Ge3'
_cell_volume   211.72551585
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.99783659  0.49864876  0.12208595  1.0
  V  V1  1  0.00223466  0.49893986  0.62683035  1.0
  V  V2  1  0.75365389  0.00348971  0.50000000  1.0
  V  V3  1  0.99783659  0.49864876  0.87791405  1.0
  V  V4  1  0.00223466  0.49893986  0.37316965  1.0
  V  V5  1  0.50000192  0.74994146  0.75341883  1.0
  V  V6  1  0.50000192  0.74994146  0.24658117  1.0
  V  V7  1  0.24927573  0.99723838  0.00000000  1.0
  V  V8  1  0.25021194  0.00347821  0.50000000  1.0
  Si  Si9  1  0.49281004  0.50200590  0.00000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.50044011  0.25273660  0.75193505  1.0
  Tc  Tc11  1  0.50044011  0.25273660  0.24806495  1.0
  Tc  Tc12  1  0.74590852  0.99792735  0.00000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.50155571  0.51049767  0.50000000  1.0
  Ge  Ge14  1  0.00277880  0.99241620  0.74734470  1.0
  Ge  Ge15  1  0.00277880  0.99241620  0.25265530  1.0
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