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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th4Zn4GaSi3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3261286 · 空间群: Pmm2 (#25)

基础信息

化学式
Th4Zn4GaSi3
MP-ID
mp-3261286
元素数
4
位点数
12
密度
8.7524
g/cm³
体积
254.94
ų
晶胞参数 a
4.1656
Å
晶胞参数 b
8.4943
Å
晶胞参数 c
7.2051
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
20.92 4.2472 22.1 (0,2,0)
24.69 3.6063 70.9 (1,0,1)
24.71 3.6026 35.3 (0,0,2)
26.86 3.3195 1.6 (1,1,1)
26.86 3.3195 1.6 (1,1,-1)
32.57 2.7490 100.0 (1,2,1)
32.57 2.7490 99.9 (1,2,-1)
32.59 2.7474 49.8 (0,2,2)
32.59 2.7473 49.9 (0,2,-2)
42.57 2.1236 34.6 (0,4,0)
43.45 2.0828 32.7 (2,0,0)
43.50 2.0807 65.1 (1,0,3)
48.69 1.8700 5.6 (2,2,0)
48.73 1.8685 5.6 (1,2,3)
48.74 1.8685 5.6 (1,2,-3)
49.83 1.8299 11.5 (1,4,1)
49.83 1.8299 11.5 (1,4,-1)
49.85 1.8294 5.7 (0,4,2)
49.85 1.8294 5.7 (0,4,-2)
50.62 1.8031 11.0 (2,0,2)
50.68 1.8013 5.5 (0,0,4)
55.35 1.6598 22.5 (2,2,2)
55.35 1.6597 22.6 (2,2,-2)
55.40 1.6583 11.2 (0,2,4)
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能量属性

形成能/原子
-0.66212
eV/atom
能量/原子
-31.27109
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.2711
eV/atom
体积/原子
21.25
ų
c/a 比
1.7297

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0006
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.333
元素家族
Actinide
溶质分数
0.667
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2861
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6923
J/mol·K
Ω 参数
2.0535
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.603%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2386
越小混合越稳定
VEC
5.917
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-7.201
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9277
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3261286
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4Zn4GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3261286, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4Zn4GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.16556355
_cell_length_b   8.49433571
_cell_length_c   7.20514366
_cell_angle_alpha   89.99848554
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4Zn4GaSi3
_chemical_formula_sum   'Th4 Zn4 Ga1 Si3'
_cell_volume   254.94460737
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.75000000  0.00003920  0.75133805  1.0
  Th  Th1  1  0.75000000  0.49985527  0.75167208  1.0
  Th  Th2  1  0.25000000  0.00089284  0.24837364  1.0
  Th  Th3  1  0.25000000  0.49912905  0.24800076  1.0
  Zn  Zn4  1  0.75000000  0.75035222  0.08168014  1.0
  Zn  Zn5  1  0.25000000  0.75002172  0.58512402  1.0
  Zn  Zn6  1  0.25000000  0.24988281  0.91620858  1.0
  Zn  Zn7  1  0.75000000  0.25045293  0.41735028  1.0
  Ga  Ga8  1  0.75000000  0.74965890  0.41695465  1.0
  Si  Si9  1  0.25000000  0.74990142  0.91595929  1.0
  Si  Si10  1  0.25000000  0.24995723  0.58354243  1.0
  Si  Si11  1  0.75000000  0.24985341  0.08379606  1.0
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