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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb2HoSi3Os2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3261387 · 空间群: Cmcm (#63)

基础信息

化学式
Tb2HoSi3Os2
MP-ID
mp-3261387
元素数
4
位点数
16
密度
10.2353
g/cm³
体积
307.44
ų
晶胞参数 a
5.7729
Å
晶胞参数 b
5.7729
Å
晶胞参数 c
13.6564
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
137.51
°
空间群
Cmcm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.97 6.8282 10.5 (0,0,2)
16.48 5.3806 30.8 (1,-1,0)
17.72 5.0060 4.4 (1,-1,1)
21.02 4.2262 7.0 (1,-1,2)
22.80 3.8996 29.7 (1,0,0)
25.63 3.4753 10.8 (1,-1,3)
26.10 3.4141 16.4 (0,0,4)
26.32 3.3863 23.5 (1,0,2)
30.18 2.9615 70.2 (1,0,3)
31.02 2.8828 1.6 (1,-1,4)
33.30 2.6903 1.2 (2,-2,0)
33.56 2.6707 100.0 (2,-1,1)
33.96 2.6396 37.9 (2,-2,1)
34.93 2.5687 96.0 (1,0,4)
35.49 2.5295 15.3 (2,-1,2)
35.49 2.5295 15.3 (1,-2,2)
35.88 2.5030 9.5 (2,-2,2)
36.91 2.4355 32.2 (1,-1,5)
38.52 2.3370 90.5 (2,-1,3)
38.89 2.3161 43.2 (2,-2,3)
39.60 2.2761 38.0 (0,0,6)
40.31 2.2371 4.9 (1,0,5)
42.46 2.1289 19.7 (2,-1,4)
42.79 2.1131 4.8 (2,-2,4)
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能量属性

形成能/原子
-0.86198
eV/atom
能量/原子
-29.31522
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-29.3152
eV/atom
体积/原子
19.21
ų
c/a 比
2.3656

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0006
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.375
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.625
间隙分数
0.375
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
20.2235
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.845%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4416
越小混合越稳定
VEC
7.125
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.131
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3261387
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2HoSi3Os2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3261387, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb2HoSi3Os2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.77293701
_cell_length_b   5.77293607
_cell_length_c   13.65643952
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   137.50703634
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2HoSi3Os2
_chemical_formula_sum   'Tb4 Ho2 Si6 Os4'
_cell_volume   307.43703816
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.92374000  0.07626000  0.11524412  1.0
  Tb  Tb1  1  0.07626000  0.92374000  0.88475588  1.0
  Tb  Tb2  1  0.07626000  0.92374000  0.61524412  1.0
  Tb  Tb3  1  0.92374000  0.07626000  0.38475588  1.0
  Ho  Ho4  1  0.64301716  0.35698284  0.25000000  1.0
  Ho  Ho5  1  0.35698284  0.64301716  0.75000000  1.0
  Si  Si6  1  0.32352688  0.67647312  0.25000000  1.0
  Si  Si7  1  0.67647312  0.32352688  0.75000000  1.0
  Si  Si8  1  0.62049914  0.37950086  0.03861293  1.0
  Si  Si9  1  0.37950086  0.62049914  0.96138707  1.0
  Si  Si10  1  0.37950086  0.62049914  0.53861293  1.0
  Si  Si11  1  0.62049914  0.37950086  0.46138707  1.0
  Os  Os12  1  0.78663867  0.21336133  0.58203583  1.0
  Os  Os13  1  0.21336133  0.78663867  0.41796417  1.0
  Os  Os14  1  0.21336133  0.78663867  0.08203583  1.0
  Os  Os15  1  0.78663867  0.21336133  0.91796417  1.0
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