Ho6Tm4Si5Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3261488 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho6Tm4Si5Ge

MP-ID

mp-3261488

元素数

位点数

密度

8.2417

g/cm³

体积

378.46

Å³

晶胞参数 a

8.3501

晶胞参数 b

8.3501

晶胞参数 c

6.2679

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.24	7.2312	1.9	(1,0,-1,0)
21.28	4.1751	10.5	(2,-1,-1,0)
21.28	4.1748	7.5	(1,1,-2,0)
24.62	3.6158	15.0	(2,-2,0,0)
24.62	3.6156	35.7	(2,0,-2,0)
25.64	3.4748	43.9	(2,-1,-1,1)
25.64	3.4746	20.0	(1,1,-2,1)
28.48	3.1339	10.9	(0,0,0,2)
31.10	2.8755	30.7	(1,-1,0,2)
31.10	2.8755	47.5	(1,0,-1,2)
32.77	2.7332	29.5	(3,-2,-1,0)
32.77	2.7332	25.1	(3,-1,-2,0)
32.77	2.7331	24.8	(2,1,-3,0)
35.83	2.5064	100.0	(2,-1,-1,2)
35.83	2.5063	45.5	(1,1,-2,2)
35.84	2.5054	43.8	(3,-2,-1,1)
35.84	2.5053	27.0	(1,-3,2,1)
35.84	2.5053	27.0	(3,-1,-2,1)
35.84	2.5053	53.3	(2,1,-3,1)
37.30	2.4105	21.9	(3,-3,0,0)
37.31	2.4104	41.0	(3,0,-3,0)
38.00	2.3681	1.1	(2,0,-2,2)
43.34	2.0875	2.8	(4,-2,-2,0)
45.81	1.9806	2.3	(4,-2,-2,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.81120

eV/atom

能量/原子

-25.53077

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-25.5308

eV/atom

体积/原子

23.65

Å³

c/a 比

0.7506

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.8119

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.002150

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.375

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.625

间隙分数

0.313

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2512

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.4021

J/mol·K

Ω 参数

75.7895

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

17.882%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3304

越小混合越稳定

VEC

8.875

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.234

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9025

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdorw

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3261488

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho6Tm4Si5Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3261488, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho6Tm4Si5Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.35010192
_cell_length_b   8.35010202
_cell_length_c   6.26785391
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00342656
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho6Tm4Si5Ge
_chemical_formula_sum   'Ho6 Tm4 Si5 Ge1'
_cell_volume   378.45832162
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.75743397  0.75743397  0.25000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.24315305  0.99893860  0.25000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.99893860  0.24315305  0.25000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.24304730  0.24304730  0.75000000  1.0
  Ho  Ho4  1  0.75655050  0.99988241  0.75000000  1.0
  Ho  Ho5  1  0.99988241  0.75655050  0.75000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.66741291  0.33320050  0.50066303  1.0
  Tm  Tm7  1  0.33320050  0.66741291  0.50066303  1.0
  Tm  Tm8  1  0.33320050  0.66741291  0.99933697  1.0
  Tm  Tm9  1  0.66741291  0.33320050  0.99933697  1.0
  Si  Si10  1  0.60553778  0.99996489  0.25000000  1.0
  Si  Si11  1  0.99996489  0.60553778  0.25000000  1.0
  Si  Si12  1  0.60578699  0.60578699  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.39442558  0.00006401  0.75000000  1.0
  Si  Si14  1  0.00006401  0.39442558  0.75000000  1.0
  Ge  Ge15  1  0.39398811  0.39398811  0.25000000  1.0

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