V12Ga2SiIr
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3261557 · 空间群: Pmmm (#47)
基础信息
化学式
V12Ga2SiIr
MP-ID
mp-3261557
元素数
4
位点数
16
密度
7.5812
g/cm³
体积
212.69
ų
晶胞参数 a
4.7302
Å
晶胞参数 b
4.7593
Å
晶胞参数 c
9.4479
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmmm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 9.36 | 9.4479 | 90.5 | (0,0,1) |
| 18.64 | 4.7593 | 4.8 | (0,1,0) |
| 18.76 | 4.7302 | 5.2 | (1,0,0) |
| 18.78 | 4.7239 | 4.6 | (0,0,2) |
| 20.90 | 4.2504 | 34.8 | (0,1,1) |
| 21.00 | 4.2297 | 27.5 | (1,0,1) |
| 26.57 | 3.3550 | 17.9 | (1,1,0) |
| 26.59 | 3.3527 | 18.4 | (0,1,2) |
| 26.67 | 3.3425 | 19.7 | (1,0,2) |
| 28.23 | 3.1616 | 31.7 | (1,1,1) |
| 28.34 | 3.1493 | 10.9 | (0,0,3) |
| 32.74 | 2.7353 | 2.6 | (1,1,2) |
| 34.14 | 2.6264 | 10.9 | (0,1,3) |
| 34.21 | 2.6214 | 8.6 | (1,0,3) |
| 37.81 | 2.3796 | 46.4 | (0,2,0) |
| 38.05 | 2.3651 | 45.7 | (2,0,0) |
| 38.10 | 2.3620 | 45.5 | (0,0,4) |
| 39.03 | 2.3076 | 7.4 | (0,2,1) |
| 39.24 | 2.2962 | 13.1 | (1,1,3) |
| 39.27 | 2.2943 | 6.6 | (2,0,1) |
| 42.53 | 2.1258 | 20.7 | (1,2,0) |
| 42.54 | 2.1252 | 45.7 | (0,2,2) |
| 42.69 | 2.1180 | 45.3 | (2,1,0) |
| 42.74 | 2.1157 | 20.7 | (0,1,4) |
能量属性
形成能/原子
-0.38298
eV/atom
能量/原子
-16.20133
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.2013
eV/atom
体积/原子
13.29
ų
c/a 比
1.9973
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0269
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000130
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.750
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.250
间隙分数
0.063
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.8223
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
6.8363
J/mol·K
Ω 参数
0.8906
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
3.166%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1526
越小混合越稳定
VEC
4.938
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-14.982
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.5931
固溶体倾向
1
相趋势
SS
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3261557
参考引用
The crystal structure and related material properties of V12Ga2SiIr were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3261557, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V12Ga2SiIr
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.73020892
_cell_length_b 4.75926117
_cell_length_c 9.44785438
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V12Ga2SiIr
_chemical_formula_sum 'V12 Ga2 Si1 Ir1'
_cell_volume 212.69292841
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.00000000 0.50000000 0.11932377 1.0
V V1 1 0.00000000 0.50000000 0.62832609 1.0
V V2 1 0.50000000 0.25330444 0.74705801 1.0
V V3 1 0.50000000 0.25330444 0.25294199 1.0
V V4 1 0.74783891 0.00000000 0.00000000 1.0
V V5 1 0.73996601 0.00000000 0.50000000 1.0
V V6 1 0.00000000 0.50000000 0.88067623 1.0
V V7 1 0.00000000 0.50000000 0.37167391 1.0
V V8 1 0.50000000 0.74669556 0.74705801 1.0
V V9 1 0.50000000 0.74669556 0.25294199 1.0
V V10 1 0.25216109 0.00000000 0.00000000 1.0
V V11 1 0.26003399 0.00000000 0.50000000 1.0
Ga Ga12 1 0.00000000 0.00000000 0.74856040 1.0
Ga Ga13 1 0.00000000 0.00000000 0.25143960 1.0
Si Si14 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Ir Ir15 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
