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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Ga5AsIr7

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3262327 · 空间群: I4mm (#107)

基础信息

化学式
Ho4Ga5AsIr7
MP-ID
mp-3262327
元素数
4
位点数
17
密度
13.9055
g/cm³
体积
290.04
ų
晶胞参数 a
7.2226
Å
晶胞参数 b
7.2226
Å
晶胞参数 c
7.2226
Å
α 角
109.46
°
β 角
109.46
°
γ 角
109.49
°
空间群
I4mm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.92543
eV/atom
能量/原子
-34.45262
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.4526
eV/atom
体积/原子
17.06
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0308
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000110
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ir · 0.412
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.588
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2324
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2462
J/mol·K
Ω 参数
3.9043
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.562%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3844
越小混合越稳定
VEC
7.353
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-4.433
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8890
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3262327
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Ga5AsIr7 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3262327, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga5AsIr7
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.22256024
_cell_length_b   7.22256097
_cell_length_c   7.22256174
_cell_angle_alpha   109.46030897
_cell_angle_beta   109.46031423
_cell_angle_gamma   109.49303393
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Ga5AsIr7
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga5 As1 Ir7'
_cell_volume   290.03589603
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.00181947  0.00181947  0.49369524  1.0
  Ho  Ho1  1  0.00181947  0.50812423  0.00000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.50812423  0.00181947  1.00000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.50812423  0.50812423  0.50630476  1.0
  Ga  Ga4  1  0.32224726  0.00631266  0.31593560  1.0
  Ga  Ga5  1  0.00631266  0.32224726  0.31593560  1.0
  Ga  Ga6  1  0.30056132  0.30056132  1.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.69037706  0.00631266  0.68406440  1.0
  Ga  Ga8  1  0.00631266  0.69037706  0.68406440  1.0
  As  As9  1  0.67518450  0.67518450  0.00000000  1.0
  Ir  Ir10  1  0.75431768  0.25431768  0.50000000  1.0
  Ir  Ir11  1  0.74590680  0.49670058  0.24920721  1.0
  Ir  Ir12  1  0.49670058  0.24749337  0.75079279  1.0
  Ir  Ir13  1  0.24749337  0.49670058  0.75079279  1.0
  Ir  Ir14  1  0.25431768  0.75431768  0.50000000  1.0
  Ir  Ir15  1  0.49670058  0.74590680  0.24920721  1.0
  Ir  Ir16  1  0.98368045  0.98368045  1.00000000  1.0
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