Th2GaSi3Ni4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3262834 · 空间群: P-4m2 (#115)
基础信息
化学式
Th2GaSi3Ni4
MP-ID
mp-3262834
元素数
4
位点数
10
密度
8.9063
g/cm³
体积
159.01
ų
晶胞参数 a
4.0684
Å
晶胞参数 b
4.0684
Å
晶胞参数 c
9.6066
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P-4m2
点群
-42m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.81921
eV/atom
能量/原子
-24.08335
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.0834
eV/atom
体积/原子
15.90
ų
c/a 比
2.3613
X 射线衍射 (XRD) · Cu Kα · λ=1.5406 Å
衍射图谱（强度归一化至 100）
横轴 2θ (°)，纵轴相对强度
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 18.47 | 4.7994 | 12.6 | (0,0,2) |
| 23.75 | 3.7433 | 59.2 | (1,0,1) |
| 28.76 | 3.1020 | 5.7 | (1,0,2) |
| 31.09 | 2.8745 | 25.8 | (1,1,0) |
| 35.68 | 2.5142 | 72.0 | (1,0,3) |
| 36.40 | 2.4660 | 100.0 | (1,1,2) |
| 37.45 | 2.3997 | 11.6 | (0,0,4) |
| 43.77 | 2.0665 | 1.4 | (1,0,4) |
| 44.54 | 2.0326 | 45.0 | (2,0,0) |
| 48.61 | 1.8716 | 4.9 | (2,0,2) |
| 51.09 | 1.7862 | 16.8 | (2,1,1) |
| 52.69 | 1.7359 | 25.3 | (1,0,5) |
| 53.88 | 1.7001 | 2.0 | (2,1,2) |
| 58.33 | 1.5807 | 35.2 | (2,1,3) |
| 59.56 | 1.5510 | 12.4 | (2,0,4) |
| 64.82 | 1.4372 | 14.5 | (2,2,0) |
| 66.88 | 1.3979 | 14.6 | (1,1,6) |
| 68.04 | 1.3768 | 2.0 | (2,2,2) |
| 70.07 | 1.3417 | 3.4 | (3,0,1) |
| 71.40 | 1.3200 | 20.4 | (2,1,5) |
| 72.72 | 1.2993 | 3.2 | (1,0,7) |
| 73.63 | 1.2855 | 4.7 | (3,1,0) |
| 76.25 | 1.2478 | 8.1 | (3,0,3) |
| 76.68 | 1.2417 | 22.8 | (3,1,2) |
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ni · 0.400
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.300
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
0.7312
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.475%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2392
越小混合越稳定
VEC
5.900
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-24.019
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3262834
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th2GaSi3Ni4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3262834, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2GaSi3Ni4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.06840048
_cell_length_b 4.06840048
_cell_length_c 9.60656919
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th2GaSi3Ni4
_chemical_formula_sum 'Th2 Ga1 Si3 Ni4'
_cell_volume 159.00680431
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.00000000 0.50000000 0.24299002 1.0
Th Th1 1 0.50000000 0.00000000 0.75700998 1.0
Ga Ga2 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Si Si3 1 0.50000000 0.00000000 0.12491346 1.0
Si Si4 1 0.00000000 0.00000000 0.50000000 1.0
Si Si5 1 0.00000000 0.50000000 0.87508654 1.0
Ni Ni6 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ni Ni7 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Ni Ni8 1 0.50000000 0.00000000 0.36945454 1.0
Ni Ni9 1 0.00000000 0.50000000 0.63054546 1.0
