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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V11Si3GePd

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3262847 · 空间群: Pmm2 (#25)

基础信息

化学式
V11Si3GePd
MP-ID
mp-3262847
元素数
4
位点数
16
密度
6.5713
g/cm³
体积
208.14
ų
晶胞参数 a
4.6976
Å
晶胞参数 b
4.6781
Å
晶胞参数 c
9.4715
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.47666
eV/atom
能量/原子
-14.11036
eV/atom
凸包距离
0.0001
eV/atom
未修正能量
-14.1104
eV/atom
体积/原子
13.01
ų
c/a 比
2.0163

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0092
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000040
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.688
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.313
间隙分数
0.188
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9180
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.6326
J/mol·K
Ω 参数
0.4877
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.263%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1758
越小混合越稳定
VEC
5.063
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-31.408
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6622
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3262847
参考引用

The crystal structure and related material properties of V11Si3GePd were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3262847, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V11Si3GePd
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.69754634
_cell_length_b   4.67806594
_cell_length_c   9.47149894
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V11Si3GePd
_chemical_formula_sum   'V11 Si3 Ge1 Pd1'
_cell_volume   208.14027654
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00000000  0.50000000  0.62468494  1.0
  V  V1  1  0.50000000  0.24945542  0.74771470  1.0
  V  V2  1  0.50000000  0.24226508  0.25452466  1.0
  V  V3  1  0.74867845  0.00000000  0.99727203  1.0
  V  V4  1  0.75221732  0.00000000  0.49919806  1.0
  V  V5  1  0.00000000  0.50000000  0.86235293  1.0
  V  V6  1  0.00000000  0.50000000  0.38770348  1.0
  V  V7  1  0.50000000  0.75054458  0.74771470  1.0
  V  V8  1  0.50000000  0.75773492  0.25452466  1.0
  V  V9  1  0.25132155  0.00000000  0.99727203  1.0
  V  V10  1  0.24778268  0.00000000  0.49919806  1.0
  Si  Si11  1  0.50000000  0.50000000  0.49990194  1.0
  Si  Si12  1  0.00000000  0.00000000  0.74985749  1.0
  Si  Si13  1  0.00000000  0.00000000  0.25825336  1.0
  Ge  Ge14  1  0.50000000  0.50000000  0.99253509  1.0
  Pd  Pd15  1  0.00000000  0.50000000  0.12729188  1.0
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