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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm10Ga3Bi2Rh

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3263248 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Tm10Ga3Bi2Rh
MP-ID
mp-3263248
元素数
4
位点数
16
密度
9.9025
g/cm³
体积
405.70
ų
晶胞参数 a
8.5345
Å
晶胞参数 b
8.5345
Å
晶胞参数 c
8.6443
Å
α 角
125.40
°
β 角
125.40
°
γ 角
80.01
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.12 6.7465 3.9 (1,0,0)
15.67 5.6557 1.6 (0,0,1)
16.16 5.4865 7.2 (1,-1,0)
20.77 4.2772 3.3 (1,1,0)
21.14 4.2026 1.9 (2,0,-1)
22.58 3.9380 4.6 (1,-1,1)
25.90 3.4402 10.5 (1,0,1)
25.90 3.4402 10.5 (0,1,1)
26.50 3.3631 21.1 (2,-1,0)
26.50 3.3631 7.0 (1,-2,0)
27.28 3.2687 1.2 (2,2,-2)
31.62 2.8300 49.0 (2,2,-1)
31.64 2.8279 18.2 (0,0,2)
31.87 2.8081 38.8 (3,1,-2)
32.44 2.7598 100.0 (2,1,0)
32.64 2.7432 21.0 (2,-2,0)
32.94 2.7195 50.8 (3,0,-1)
32.94 2.7195 50.8 (0,3,-2)
35.70 2.5151 88.0 (3,1,-1)
35.72 2.5136 97.0 (1,-1,2)
36.40 2.4682 71.7 (2,-2,1)
40.10 2.2488 1.2 (3,0,-3)
41.44 2.1791 8.1 (3,3,-3)
42.26 2.1386 9.0 (2,2,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.71966
eV/atom
能量/原子
-33.63713
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.6371
eV/atom
体积/原子
25.36
ų
c/a 比
1.0129

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0780
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000190
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
22.9285
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.456%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3587
越小混合越稳定
VEC
9.875
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.529
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3263248
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm10Ga3Bi2Rh were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3263248, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm10Ga3Bi2Rh
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.53450159
_cell_length_b   8.53450075
_cell_length_c   8.64426929
_cell_angle_alpha   125.40015015
_cell_angle_beta   125.40014661
_cell_angle_gamma   80.01049610
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm10Ga3Bi2Rh
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga3 Bi2 Rh1'
_cell_volume   405.70356197
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.99947101  0.00058906  0.00006108  1.0
  Tm  Tm1  1  0.49941094  0.50052899  0.99993892  1.0
  Tm  Tm2  1  0.78201158  0.29494409  0.79756745  1.0
  Tm  Tm3  1  0.20505591  0.71798842  0.20243255  1.0
  Tm  Tm4  1  0.48444414  0.99737664  0.20243255  1.0
  Tm  Tm5  1  0.30255443  0.46373148  0.50000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.03626852  0.19744557  0.50000000  1.0
  Tm  Tm7  1  0.50262336  0.01555586  0.79756745  1.0
  Tm  Tm8  1  0.70547079  0.51507112  0.50000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.98492888  0.79452921  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.14102683  0.64380420  0.78483103  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85619580  0.35897317  0.21516897  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63735871  0.86264129  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24496492  0.25503508  1.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74496492  0.75503508  1.00000000  1.0
  Rh  Rh15  1  0.37324827  0.12675173  0.50000000  1.0
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