Tm10Ga3Bi2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3263508 · 空间群: Fmm2 (#42)

Materials Project API

基础信息

化学式

Tm10Ga3Bi2Os

MP-ID

mp-3263508

元素数

位点数

密度

10.2393

g/cm³

体积

406.52

Å³

晶胞参数 a

8.6003

晶胞参数 b

8.6003

晶胞参数 c

8.6737

α 角

126.07

β 角

126.07

γ 角

79.18

空间群

Fmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.13	6.7423	16.0	(1,0,0)
13.36	6.6275	2.5	(1,1,-1)
16.17	5.4811	9.9	(1,-1,0)
20.78	4.2755	3.5	(1,1,0)
20.78	4.2755	3.5	(1,1,-2)
21.03	4.2238	3.4	(2,0,-1)
22.71	3.9155	4.2	(1,-1,1)
23.11	3.8481	1.3	(2,1,-1)
26.11	3.4124	14.0	(1,0,1)
26.53	3.3601	18.5	(2,-1,0)
31.37	2.8513	18.0	(2,2,-1)
31.37	2.8513	18.0	(2,2,-3)
31.55	2.8358	34.2	(3,1,-2)
31.99	2.7978	18.5	(0,0,2)
32.46	2.7586	47.2	(2,1,0)
32.46	2.7586	47.2	(2,1,-3)
32.68	2.7405	16.5	(2,-2,0)
32.80	2.7307	100.0	(3,0,-1)
35.44	2.5326	1.8	(3,-1,-1)
35.49	2.5295	42.2	(3,1,-1)
35.49	2.5295	42.2	(3,1,-3)
36.04	2.4919	84.2	(1,-1,2)
36.51	2.4612	66.5	(2,-2,1)
40.12	2.2474	1.7	(3,0,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.67894

eV/atom

能量/原子

-35.39948

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-35.3995

eV/atom

体积/原子

25.41

Å³

c/a 比

1.0085

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0244

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000060

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Tm · 0.625

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.375

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0408

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6535

J/mol·K

Ω 参数

95.4094

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.387%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3484

越小混合越稳定

VEC

9.813

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.133

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7508

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdrro

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3263508

参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm10Ga3Bi2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3263508, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Tm10Ga3Bi2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.60029789
_cell_length_b   8.60029789
_cell_length_c   8.67369242
_cell_angle_alpha   126.07258010
_cell_angle_beta   126.07257961
_cell_angle_gamma   79.18321419
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm10Ga3Bi2Os
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga3 Bi2 Os1'
_cell_volume   406.52014503
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.01011952  0.00549253  0.01561305  1.0
  Tm  Tm1  1  0.49450747  0.48988048  0.98438695  1.0
  Tm  Tm2  1  0.78350450  0.29498974  0.80100828  1.0
  Tm  Tm3  1  0.20501026  0.71649550  0.19899172  1.0
  Tm  Tm4  1  0.48249622  0.99398146  0.19899172  1.0
  Tm  Tm5  1  0.30556746  0.46154483  0.50000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.03845517  0.19443254  0.50000000  1.0
  Tm  Tm7  1  0.50601854  0.01750378  0.80100828  1.0
  Tm  Tm8  1  0.70349959  0.51905008  0.50000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.98094992  0.79650041  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.13417072  0.64176981  0.77594153  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85823019  0.36582928  0.22405847  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63470642  0.86529358  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24560287  0.25439713  1.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74560287  0.75439713  1.00000000  1.0
  Os  Os15  1  0.37155730  0.12844270  0.50000000  1.0

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