Ho10Ga3ReBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3263544 · 空间群: Fmm2 (#42)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho10Ga3ReBi2

MP-ID

mp-3263544

元素数

位点数

密度

9.7631

g/cm³

体积

418.85

Å³

晶胞参数 a

8.6650

晶胞参数 b

8.6650

晶胞参数 c

8.7468

α 角

125.80

β 角

125.80

γ 角

79.58

空间群

Fmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.99	6.8137	15.6	(1,0,-1)
13.30	6.6582	1.9	(1,1,-1)
15.98	5.5452	10.1	(1,-1,0)
20.57	4.3178	8.2	(1,1,-2)
20.85	4.2610	3.8	(2,0,-1)
22.42	3.9652	4.2	(1,-1,1)
22.96	3.8734	1.3	(2,1,-2)
25.77	3.4565	3.2	(1,0,-2)
25.77	3.4565	9.5	(0,1,-2)
26.22	3.3985	18.0	(2,-1,-1)
31.15	2.8711	18.0	(2,2,-3)
31.15	2.8711	18.0	(2,2,-1)
31.34	2.8542	32.8	(3,1,-2)
31.55	2.8361	19.4	(0,0,2)
32.13	2.7862	73.2	(2,1,-3)
32.13	2.7862	24.4	(1,2,0)
32.29	2.7726	16.9	(2,-2,0)
32.49	2.7556	100.0	(3,0,-2)
35.06	2.5596	1.2	(3,-1,-1)
35.06	2.5596	1.2	(1,-3,1)
35.20	2.5496	86.6	(3,1,-3)
35.55	2.5250	84.6	(1,-1,2)
36.06	2.4910	68.6	(2,-2,1)
39.68	2.2712	2.4	(3,0,-3)

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能量属性

形成能/原子

-0.62154

eV/atom

能量/原子

-33.90634

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-33.9063

eV/atom

体积/原子

26.18

Å³

c/a 比

1.0094

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0205

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000050

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.625

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.375

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0408

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6535

J/mol·K

Ω 参数

45.2626

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.256%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3270

越小混合越稳定

VEC

8.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.272

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7508

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdrsy

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3263544

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10Ga3ReBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3263544, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho10Ga3ReBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.66494682
_cell_length_b   8.66494562
_cell_length_c   8.74677698
_cell_angle_alpha   125.79760924
_cell_angle_beta   125.79761507
_cell_angle_gamma   79.57807016
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10Ga3ReBi2
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga3 Re1 Bi2'
_cell_volume   418.85447188
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.00615553  0.01210561  0.01826214  1.0
  Ho  Ho1  1  0.48789439  0.49384447  0.98173786  1.0
  Ho  Ho2  1  0.01616321  0.50560358  0.80290849  1.0
  Ho  Ho3  1  0.71325471  0.20269408  0.19709151  1.0
  Ho  Ho4  1  0.52109761  0.70332749  0.50000000  1.0
  Ho  Ho5  1  0.19371163  0.03742678  0.50000000  1.0
  Ho  Ho6  1  0.99439642  0.48383679  0.19709151  1.0
  Ho  Ho7  1  0.29730592  0.78674529  0.80290849  1.0
  Ho  Ho8  1  0.46257322  0.30628837  0.50000000  1.0
  Ho  Ho9  1  0.79667251  0.97890239  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36493325  0.85701874  0.22195099  1.0
  Ga  Ga11  1  0.64298126  0.13506675  0.77804901  1.0
  Ga  Ga12  1  0.86816994  0.63183006  0.50000000  1.0
  Re  Re13  1  0.12682005  0.37317995  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.75393717  0.74606283  0.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.25393717  0.24606283  0.00000000  1.0

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