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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

TmSc4Ga2Sb

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3263661 · 空间群: Ama2 (#40)

基础信息

化学式
TmSc4Ga2Sb
MP-ID
mp-3263661
元素数
4
位点数
16
密度
5.6716
g/cm³
体积
357.17
ų
晶胞参数 a
8.2178
Å
晶胞参数 b
8.2423
Å
晶胞参数 c
6.0950
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.10
°
空间群
Ama2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.41 7.1309 16.5 (0,1,0)
12.45 7.1097 32.9 (1,0,0)
19.16 4.6332 49.8 (0,1,1)
21.56 4.1212 4.1 (1,-2,0)
21.63 4.1089 37.7 (1,1,0)
24.97 3.5655 6.7 (0,2,0)
25.05 3.5549 11.2 (2,0,0)
26.16 3.4070 14.2 (1,1,1)
29.01 3.0776 45.5 (0,2,1)
29.31 3.0475 85.1 (0,0,2)
31.94 2.8023 25.2 (0,1,2)
31.95 2.8010 6.0 (1,0,2)
33.21 2.6976 22.6 (1,-3,0)
33.28 2.6918 10.6 (1,2,0)
33.33 2.6884 16.6 (2,1,0)
36.42 2.4668 76.5 (1,-3,1)
36.49 2.4624 94.4 (1,2,1)
36.53 2.4597 100.0 (2,1,1)
36.68 2.4503 29.5 (1,-2,2)
36.72 2.4477 92.8 (1,1,2)
37.85 2.3770 24.8 (0,3,0)
37.85 2.3770 24.8 (3,-3,0)
37.97 2.3699 15.6 (3,0,0)
38.88 2.3166 17.3 (0,2,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.75223
eV/atom
能量/原子
-16.91559
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.9156
eV/atom
体积/原子
22.32
ų
c/a 比
0.7417

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0025
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
0.5797
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.835%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2783
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-23.016
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3263661
参考引用

The crystal structure and related material properties of TmSc4Ga2Sb were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3263661, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_TmSc4Ga2Sb
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.21780254
_cell_length_b   8.24231622
_cell_length_c   6.09503386
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.09872375
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TmSc4Ga2Sb
_chemical_formula_sum   'Tm2 Sc8 Ga4 Sb2'
_cell_volume   357.17317090
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.23127535  0.99871841  0.25000000  1.0
  Tm  Tm1  1  0.23127535  0.23255894  0.75000000  1.0
  Sc  Sc2  1  0.31640956  0.65820478  0.00000000  1.0
  Sc  Sc3  1  0.67315392  0.33657696  0.50000000  1.0
  Sc  Sc4  1  0.67315392  0.33657696  0.00000000  1.0
  Sc  Sc5  1  0.31640956  0.65820478  0.50000000  1.0
  Sc  Sc6  1  0.01169874  0.76035806  0.75000000  1.0
  Sc  Sc7  1  0.01169874  0.25134068  0.25000000  1.0
  Sc  Sc8  1  0.76420918  0.75030667  0.25000000  1.0
  Sc  Sc9  1  0.76420918  0.01390351  0.75000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.99421504  0.39958937  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99421504  0.59462567  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.40029396  0.40165089  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.40029396  0.99864207  0.75000000  1.0
  Sb  Sb14  1  0.60874425  0.99534567  0.25000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.60874425  0.61339858  0.75000000  1.0
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