Th4Mg2Ga3Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3264027 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th4Mg2Ga3Si

MP-ID

mp-3264027

元素数

位点数

密度

8.1509

g/cm³

体积

247.33

Å³

晶胞参数 a

7.4957

晶胞参数 b

7.4957

晶胞参数 c

4.4022

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.54

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.81	7.4953	1.1	(1,0,0)
16.65	5.3250	11.9	(1,-1,0)
16.81	5.2753	15.3	(1,1,0)
20.17	4.4022	45.2	(0,0,1)
23.74	3.7477	41.1	(2,0,0)
26.27	3.3929	2.1	(1,-1,1)
26.37	3.3800	1.0	(1,1,1)
26.49	3.3646	29.6	(2,-1,0)
26.69	3.3395	29.6	(2,1,0)
31.35	2.8536	67.6	(2,0,1)
33.52	2.6732	100.0	(2,-1,1)
33.66	2.6625	3.9	(2,-2,0)
33.69	2.6606	99.1	(2,1,1)
33.99	2.6377	7.1	(2,2,0)
37.85	2.3769	20.0	(3,-1,0)
38.07	2.3636	14.5	(3,1,0)
39.56	2.2782	4.7	(2,-2,1)
39.84	2.2626	2.9	(2,2,1)
41.00	2.2011	31.7	(0,0,2)
43.26	2.0915	3.9	(3,-1,1)
43.34	2.0879	3.8	(3,-2,0)
43.46	2.0824	3.9	(3,1,1)
43.73	2.0699	4.2	(3,2,0)
44.54	2.0342	2.0	(1,-1,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.57414

eV/atom

能量/原子

-35.10831

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-35.1083

eV/atom

体积/原子

24.73

Å³

c/a 比

0.5873

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0004

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.400

元素家族

Actinide

溶质分数

0.600

间隙分数

0.100

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2799

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6407

J/mol·K

Ω 参数

2.2508

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.570%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2604

越小混合越稳定

VEC

2.500

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-6.099

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9232

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdsln

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3264027

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4Mg2Ga3Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3264027, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th4Mg2Ga3Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.49564996
_cell_length_b   7.49564996
_cell_length_c   4.40220990
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.53677436
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4Mg2Ga3Si
_chemical_formula_sum   'Th4 Mg2 Ga3 Si1'
_cell_volume   247.32628926
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.67925585  0.17925585  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.17488288  0.32363329  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.82363329  0.67488288  0.50000000  1.0
  Th  Th3  1  0.32308268  0.82308268  0.50000000  1.0
  Mg  Mg4  1  0.99914963  0.99916995  0.00000000  1.0
  Mg  Mg5  1  0.49916995  0.49914963  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.37876568  0.12161709  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.62161709  0.87876568  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.11970179  0.61970179  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.88074017  0.38074017  0.00000000  1.0

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