导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm10Ga3Bi2Pd

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3264390 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Tm10Ga3Bi2Pd
MP-ID
mp-3264390
元素数
4
位点数
16
密度
9.8645
g/cm³
体积
407.86
ų
晶胞参数 a
8.4554
Å
晶胞参数 b
8.4554
Å
晶胞参数 c
8.6268
Å
α 角
124.32
°
β 角
124.32
°
γ 角
81.35
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.08 6.7699 1.8 (1,0,0)
15.36 5.7705 1.8 (0,0,1)
16.08 5.5109 5.0 (1,-1,0)
20.71 4.2895 3.0 (1,1,-2)
21.26 4.1796 1.1 (2,0,-1)
22.31 3.9854 2.6 (1,-1,1)
22.31 3.9854 2.6 (1,-1,-1)
25.49 3.4947 20.4 (1,0,-2)
26.39 3.3773 26.4 (2,-1,0)
30.99 2.8852 18.5 (0,0,2)
31.93 2.8028 46.9 (2,2,-3)
32.30 2.7714 37.2 (3,1,-2)
32.34 2.7680 100.0 (2,1,-3)
32.49 2.7555 17.3 (2,-2,0)
33.07 2.7086 95.4 (3,0,-1)
35.11 2.5561 91.6 (1,-1,2)
35.46 2.5316 1.0 (3,-1,-1)
35.95 2.4982 73.6 (3,1,-3)
36.12 2.4865 75.9 (2,-2,1)
42.13 2.1448 8.7 (2,2,-4)
42.28 2.1376 7.7 (3,3,-3)
43.18 2.0953 11.9 (3,2,-4)
43.30 2.0898 2.7 (4,0,-2)
43.30 2.0898 2.7 (0,4,-2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.70003
eV/atom
能量/原子
-33.54402
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.5440
eV/atom
体积/原子
25.49
ų
c/a 比
1.0203

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0044
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
5.5184
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.256%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3484
越小混合越稳定
VEC
9.938
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.157
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3264390
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm10Ga3Bi2Pd were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3264390, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm10Ga3Bi2Pd
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.45536053
_cell_length_b   8.45536008
_cell_length_c   8.62679374
_cell_angle_alpha   124.31707429
_cell_angle_beta   124.31707249
_cell_angle_gamma   81.34957741
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm10Ga3Bi2Pd
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga3 Bi2 Pd1'
_cell_volume   407.85717103
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.99550924  0.99878883  0.99429806  1.0
  Tm  Tm1  1  0.50121117  0.50449076  0.00570194  1.0
  Tm  Tm2  1  0.78529070  0.29451434  0.79656778  1.0
  Tm  Tm3  1  0.20548566  0.71470930  0.20343222  1.0
  Tm  Tm4  1  0.48872293  0.99794656  0.20343222  1.0
  Tm  Tm5  1  0.29580339  0.47113470  0.50000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.02886530  0.20419661  0.50000000  1.0
  Tm  Tm7  1  0.50205344  0.01127707  0.79656778  1.0
  Tm  Tm8  1  0.70910919  0.51448262  0.50000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.98551738  0.79089081  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.15032144  0.64974031  0.80006375  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85025969  0.34967856  0.19993625  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63859117  0.86140883  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24659940  0.25340060  0.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74659940  0.75340060  0.00000000  1.0
  Pd  Pd15  1  0.37005952  0.12994048  0.50000000  1.0
获取直接链接