Ti3V2GaSi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3264457 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ti3V2GaSi2

MP-ID

mp-3264457

元素数

位点数

密度

5.2845

g/cm³

体积

233.39

Å³

晶胞参数 a

7.3698

晶胞参数 b

7.3861

晶胞参数 c

4.9546

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.07

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.85	6.3918	11.3	(1,-1,0)
13.89	6.3778	30.2	(1,0,0)
17.90	4.9546	11.0	(0,0,1)
22.71	3.9159	2.5	(1,-1,1)
22.73	3.9127	8.7	(1,0,1)
24.10	3.6930	3.7	(1,-2,0)
24.15	3.6849	7.4	(2,-1,0)
27.92	3.1959	4.6	(2,-2,0)
27.98	3.1889	4.3	(2,0,0)
30.18	2.9610	6.3	(1,-2,1)
30.23	2.9568	1.3	(2,-1,1)
33.36	2.6857	9.8	(2,-2,1)
36.26	2.4773	35.0	(0,0,2)
37.19	2.4174	28.7	(2,-3,0)
37.25	2.4136	32.4	(3,-2,0)
37.29	2.4113	10.0	(3,-1,0)
37.29	2.4113	10.0	(2,1,0)
38.99	2.3099	29.4	(1,-1,2)
39.00	2.3092	3.6	(1,0,2)
41.57	2.1726	62.5	(2,-3,1)
41.62	2.1698	61.9	(3,-2,1)
41.66	2.1682	100.0	(3,-1,1)
42.43	2.1306	36.6	(3,-3,0)
42.43	2.1306	36.6	(0,3,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.67544

eV/atom

能量/原子

-12.67328

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.6733

eV/atom

体积/原子

14.59

Å³

c/a 比

0.6723

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0022

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ti · 0.375

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.625

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3209

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.9819

J/mol·K

Ω 参数

0.4587

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.629%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1488

越小混合越稳定

VEC

4.125

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-41.496

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9528

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdtcb

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3264457

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ti3V2GaSi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3264457, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ti3V2GaSi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.36982874
_cell_length_b   7.38608153
_cell_length_c   4.95459514
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.07298230
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ti3V2GaSi2
_chemical_formula_sum   'Ti6 V4 Ga2 Si4'
_cell_volume   233.39440407
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.75713920  0.75310783  0.75000000  1.0
  Ti  Ti1  1  0.24286080  0.99596863  0.75000000  1.0
  Ti  Ti2  1  0.00000000  0.25023857  0.75000000  1.0
  Ti  Ti3  1  0.24499909  0.24493832  0.25000000  1.0
  Ti  Ti4  1  0.75500091  0.99993924  0.25000000  1.0
  Ti  Ti5  1  1.00000000  0.74968245  0.25000000  1.0
  V  V6  1  0.67169756  0.33724622  0.00397703  1.0
  V  V7  1  0.32830244  0.66554866  0.00397703  1.0
  V  V8  1  0.32830244  0.66554866  0.49602297  1.0
  V  V9  1  0.67169756  0.33724622  0.49602297  1.0
  Ga  Ga10  1  0.40049149  0.39949272  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.59950851  0.99900023  0.75000000  1.0
  Si  Si12  1  1.00000000  0.60091086  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.59961318  0.60243536  0.25000000  1.0
  Si  Si14  1  0.40038682  0.00282218  0.25000000  1.0
  Si  Si15  1  0.00000000  0.39587485  0.25000000  1.0

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