Y7Tm3(Ga2Sb)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3264927 · 空间群: C2 (#5)

Materials Project API

基础信息

化学式

Y7Tm3(Ga2Sb)2

MP-ID

mp-3264927

元素数

位点数

密度

6.5098

g/cm³

体积

421.28

Å³

晶胞参数 a

8.6287

晶胞参数 b

8.6566

晶胞参数 c

6.5196

α 角

90.01

β 角

90.00

γ 角

120.11

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.79281

eV/atom

能量/原子

-22.33919

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-22.3392

eV/atom

体积/原子

26.33

Å³

c/a 比

0.7556

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0013

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Y · 0.438

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.563

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2820

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6589

J/mol·K

Ω 参数

0.6607

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.079%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3276

越小混合越稳定

VEC

5.125

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-21.240

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9248

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdtud

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3264927

参考引用

The crystal structure and related material properties of Y7Tm3(Ga2Sb)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3264927, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Y7Tm3(Ga2Sb)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.62872269
_cell_length_b   8.65654980
_cell_length_c   6.51959544
_cell_angle_alpha   90.00815018
_cell_angle_beta   89.99591302
_cell_angle_gamma   120.10673389
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Y7Tm3(Ga2Sb)2
_chemical_formula_sum   'Y7 Tm3 Ga4 Sb2'
_cell_volume   421.28356819
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.31495091  0.65747596  0.50000000  1.0
  Y  Y1  1  0.23619909  0.00079129  0.24942229  1.0
  Y  Y2  1  0.23619909  0.23540680  0.75057771  1.0
  Y  Y3  1  0.01298754  0.76412679  0.75123952  1.0
  Y  Y4  1  0.01298754  0.24886074  0.24876048  1.0
  Y  Y5  1  0.76228989  0.74846503  0.24985498  1.0
  Y  Y6  1  0.76228989  0.01382486  0.75014502  1.0
  Tm  Tm7  1  0.31267427  0.65633713  0.00000000  1.0
  Tm  Tm8  1  0.67068133  0.33534017  0.50000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.66947395  0.33473648  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.99699473  0.39891181  0.75275334  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99699473  0.59808193  0.24724666  1.0
  Ga  Ga12  1  0.40248224  0.39762040  0.24866198  1.0
  Ga  Ga13  1  0.40248224  0.00486184  0.75133802  1.0
  Sb  Sb14  1  0.60515678  0.99672313  0.24730098  1.0
  Sb  Sb15  1  0.60515678  0.60843366  0.75269902  1.0

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