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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

HoPu3Ga12Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265047 · 空间群: R-3m (#166)

基础信息

化学式
HoPu3Ga12Os
MP-ID
mp-3265047
元素数
4
位点数
17
密度
10.1621
g/cm³
体积
314.36
ų
晶胞参数 a
7.4206
Å
晶胞参数 b
7.4206
Å
晶胞参数 c
7.4206
Å
α 角
109.49
°
β 角
109.49
°
γ 角
109.49
°
空间群
R-3m
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hR
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.55135
eV/atom
能量/原子
-28.91894
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-28.9189
eV/atom
体积/原子
18.49
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
15.4261
μB
磁有序
FiM
磁性位点数
5
磁化强度/体积
0.049070
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.706
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.294
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.8853
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.3603
J/mol·K
Ω 参数
26.6403
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.749%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2595
越小混合越稳定
VEC
4.294
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.185
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6386
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3265047
参考引用

The crystal structure and related material properties of HoPu3Ga12Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265047, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_HoPu3Ga12Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.42058819
_cell_length_b   7.42058689
_cell_length_c   7.42058744
_cell_angle_alpha   109.48744603
_cell_angle_beta   109.48743754
_cell_angle_gamma   109.48744800
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoPu3Ga12Os
_chemical_formula_sum   'Ho1 Pu3 Ga12 Os1'
_cell_volume   314.36330681
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Pu  Pu1  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Pu  Pu2  1  0.00000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Pu  Pu3  1  0.50000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.74956346  0.25043654  0.50000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.74956346  0.50000000  0.25043654  1.0
  Ga  Ga6  1  0.50000000  0.25043654  0.74956346  1.0
  Ga  Ga7  1  0.25043654  0.50000000  0.74956346  1.0
  Ga  Ga8  1  0.25043654  0.74956346  0.50000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.50000000  0.74956346  0.25043654  1.0
  Ga  Ga10  1  0.70874739  0.70874739  0.99960693  1.0
  Ga  Ga11  1  0.29125261  0.00039307  0.29125261  1.0
  Ga  Ga12  1  0.00039307  0.29125261  0.29125261  1.0
  Ga  Ga13  1  0.29125261  0.29125261  0.00039307  1.0
  Ga  Ga14  1  0.70874739  0.99960693  0.70874739  1.0
  Ga  Ga15  1  0.99960693  0.70874739  0.70874739  1.0
  Os  Os16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
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