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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Hf6Ta4Ga5Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265060 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Hf6Ta4Ga5Si
MP-ID
mp-3265060
元素数
4
位点数
16
密度
12.4700
g/cm³
体积
289.15
ų
晶胞参数 a
7.8608
Å
晶胞参数 b
7.8450
Å
晶胞参数 c
5.4179
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.07
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.01 6.8031 2.9 (1,0,0)
13.04 6.7894 3.5 (0,1,0)
22.62 3.9304 1.8 (2,-1,0)
22.67 3.9225 5.8 (1,1,0)
26.20 3.4015 24.6 (2,0,0)
26.25 3.3947 15.8 (0,2,0)
28.05 3.1814 16.7 (2,-1,1)
28.08 3.1772 28.7 (1,1,1)
33.07 2.7090 15.7 (0,0,2)
34.87 2.5728 26.4 (3,-1,0)
34.92 2.5691 30.2 (2,1,0)
34.96 2.5669 22.4 (1,2,0)
35.67 2.5168 40.9 (1,0,2)
35.68 2.5161 15.1 (0,1,2)
38.75 2.3241 54.0 (3,-1,1)
38.79 2.3213 52.1 (2,1,1)
38.82 2.3197 63.8 (1,2,1)
39.75 2.2677 61.7 (3,0,0)
39.83 2.2631 27.3 (0,3,0)
40.44 2.2305 54.0 (2,-1,2)
40.47 2.2290 100.0 (1,1,2)
42.67 2.1191 2.3 (2,0,2)
42.70 2.1174 1.3 (0,2,2)
46.19 1.9652 1.4 (4,-2,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.56157
eV/atom
能量/原子
-33.76553
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.7655
eV/atom
体积/原子
18.07
ų
c/a 比
0.6892

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0008
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Hf · 0.375
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.063
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2512
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.4021
J/mol·K
Ω 参数
1.2785
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.511%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2299
越小混合越稳定
VEC
3.938
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.966
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9025
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3265060
参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf6Ta4Ga5Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265060, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Hf6Ta4Ga5Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.86077622
_cell_length_b   7.84502050
_cell_length_c   5.41789745
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.06645866
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf6Ta4Ga5Si
_chemical_formula_sum   'Hf6 Ta4 Ga5 Si1'
_cell_volume   289.15432936
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.25338400  0.00000000  0.25000000  1.0
  Hf  Hf1  1  0.74629563  0.00000000  0.75000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.99778222  0.24789577  0.25000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.99885988  0.75066291  0.75000000  1.0
  Hf  Hf4  1  0.74988545  0.75210423  0.25000000  1.0
  Hf  Hf5  1  0.24819697  0.24933709  0.75000000  1.0
  Ta  Ta6  1  0.33655692  0.67036996  0.00091673  1.0
  Ta  Ta7  1  0.66618797  0.32963004  0.00091673  1.0
  Ta  Ta8  1  0.66618797  0.32963004  0.49908327  1.0
  Ta  Ta9  1  0.33655692  0.67036996  0.49908327  1.0
  Ga  Ga10  1  0.39314923  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99979030  0.60431416  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.00189748  0.39819153  0.75000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.39547613  0.39568584  0.25000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.60370595  0.60180847  0.75000000  1.0
  Si  Si15  1  0.60608600  0.00000000  0.25000000  1.0
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