Ta2V2GaC3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265063 · 空间群: P6_3/mmc (#194)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ta2V2GaC3

MP-ID

mp-3265063

元素数

位点数

密度

10.1328

g/cm³

体积

186.67

Å³

晶胞参数 a

3.0638

晶胞参数 b

3.0638

晶胞参数 c

22.9622

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mmc

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
7.70	11.4811	100.0	(0,0,0,2)
23.24	3.8270	12.1	(0,0,0,6)
31.16	2.8703	12.1	(0,0,0,8)
33.78	2.6533	1.8	(1,0,-1,0)
33.78	2.6533	3.6	(1,-1,0,0)
34.01	2.6358	7.2	(1,0,-1,1)
34.01	2.6358	7.2	(0,1,-1,1)
34.01	2.6358	7.2	(1,-1,0,1)
34.70	2.5852	8.5	(1,0,-1,2)
34.70	2.5852	4.2	(1,-1,0,2)
35.82	2.5070	18.5	(1,0,-1,3)
35.82	2.5070	9.3	(1,-1,0,3)
37.34	2.4085	1.9	(1,0,-1,4)
37.34	2.4085	3.9	(1,-1,0,4)
39.21	2.2975	25.1	(1,0,-1,5)
39.21	2.2975	50.2	(1,-1,0,5)
39.23	2.2962	17.3	(0,0,0,10)
41.41	2.1805	30.5	(1,0,-1,6)
43.89	2.0630	5.2	(1,0,-1,7)
46.62	1.9484	4.9	(1,0,-1,8)
52.72	1.7363	1.1	(1,0,-1,10)
52.72	1.7363	2.1	(1,-1,0,10)
56.06	1.6406	13.8	(1,0,-1,11)
56.06	1.6406	6.9	(1,-1,0,11)

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能量属性

形成能/原子

-0.62830

eV/atom

能量/原子

-21.45921

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-21.4592

eV/atom

体积/原子

11.67

Å³

c/a 比

7.4946

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0042

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000020

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

C · 0.375

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.625

间隙分数

0.375

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3209

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.9819

J/mol·K

Ω 参数

0.3821

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

26.225%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4620

越小混合越稳定

VEC

4.375

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-81.619

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9528

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdtzj

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3265063

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta2V2GaC3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265063, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ta2V2GaC3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.06381645
_cell_length_b   3.06381591
_cell_length_c   22.96214923
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99998441
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta2V2GaC3
_chemical_formula_sum   'Ta4 V4 Ga2 C6'
_cell_volume   186.66747159
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.33333300  0.66666700  0.44108779  1.0
  Ta  Ta1  1  0.66666700  0.33333300  0.55891221  1.0
  Ta  Ta2  1  0.66666700  0.33333300  0.94108779  1.0
  Ta  Ta3  1  0.33333300  0.66666700  0.05891221  1.0
  V  V4  1  0.00000000  0.00000000  0.33970669  1.0
  V  V5  1  0.00000000  0.00000000  0.66029331  1.0
  V  V6  1  0.00000000  0.00000000  0.83970669  1.0
  V  V7  1  0.00000000  0.00000000  0.16029331  1.0
  Ga  Ga8  1  0.33333300  0.66666700  0.25000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.66666700  0.33333300  0.75000000  1.0
  C  C10  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  C  C11  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  C  C12  1  0.66666700  0.33333300  0.38394183  1.0
  C  C13  1  0.33333300  0.66666700  0.61605817  1.0
  C  C14  1  0.33333300  0.66666700  0.88394183  1.0
  C  C15  1  0.66666700  0.33333300  0.11605817  1.0

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