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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb2DySi4Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265180 · 空间群: C2 (#5)

基础信息

化学式
Tb2DySi4Ge
MP-ID
mp-3265180
元素数
4
位点数
16
密度
6.7958
g/cm³
体积
325.15
ų
晶胞参数 a
6.7503
Å
晶胞参数 b
6.7503
Å
晶胞参数 c
8.2238
Å
α 角
89.99
°
β 角
90.01
°
γ 角
119.81
°
空间群
C2
点群
2
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.75459
eV/atom
能量/原子
-18.67980
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-18.6798
eV/atom
体积/原子
20.32
ų
c/a 比
1.2183

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0019
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
21.6783
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.622%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3818
越小混合越稳定
VEC
6.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.750
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3265180
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2DySi4Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265180, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb2DySi4Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.75024622
_cell_length_b   6.75024550
_cell_length_c   8.22383414
_cell_angle_alpha   89.99213222
_cell_angle_beta   90.00786790
_cell_angle_gamma   119.80887103
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2DySi4Ge
_chemical_formula_sum   'Tb4 Dy2 Si8 Ge2'
_cell_volume   325.14520976
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.67014805  0.67014805  0.00000000  1.0
  Tb  Tb1  1  0.33087669  0.99474931  0.99893852  1.0
  Tb  Tb2  1  0.99474931  0.33087669  0.00106148  1.0
  Tb  Tb3  1  0.66997140  0.66997140  0.50000000  1.0
  Dy  Dy4  1  0.33094219  0.99478367  0.50100261  1.0
  Dy  Dy5  1  0.99478367  0.33094219  0.49899739  1.0
  Si  Si6  1  0.66704851  0.33228790  0.74924899  1.0
  Si  Si7  1  0.33228790  0.66704851  0.25075101  1.0
  Si  Si8  1  0.99806401  0.99881364  0.74915483  1.0
  Si  Si9  1  0.99881364  0.99806401  0.25084517  1.0
  Si  Si10  1  0.63219541  0.96243774  0.74937447  1.0
  Si  Si11  1  0.03637921  0.66889247  0.74904858  1.0
  Si  Si12  1  0.96243774  0.63219541  0.25062553  1.0
  Si  Si13  1  0.66889247  0.03637921  0.25095142  1.0
  Ge  Ge14  1  0.32813586  0.38427396  0.74942542  1.0
  Ge  Ge15  1  0.38427396  0.32813586  0.25057458  1.0
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