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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Dy10Ga3Bi2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265863 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Dy10Ga3Bi2Os
MP-ID
mp-3265863
元素数
4
位点数
16
密度
9.5459
g/cm³
体积
424.86
ų
晶胞参数 a
8.7135
Å
晶胞参数 b
8.7135
Å
晶胞参数 c
8.7981
Å
α 角
125.93
°
β 角
125.93
°
γ 角
79.34
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.94 6.8441 16.9 (1,0,-1)
13.20 6.7071 2.4 (1,1,-1)
15.93 5.5624 10.8 (1,-1,0)
20.46 4.3407 8.6 (1,1,-2)
20.75 4.2816 4.2 (2,0,-1)
22.34 3.9789 4.5 (1,-1,1)
22.81 3.8982 1.3 (2,1,-2)
25.67 3.4703 12.3 (1,0,-2)
26.13 3.4102 17.1 (2,-1,0)
30.95 2.8896 35.8 (2,2,-3)
31.14 2.8720 16.8 (3,1,-2)
31.14 2.8720 16.8 (1,3,-2)
31.42 2.8470 19.4 (0,0,2)
31.96 2.8006 95.3 (2,1,-3)
32.19 2.7812 17.2 (2,-2,0)
32.33 2.7687 100.0 (3,0,-1)
34.92 2.5691 2.2 (3,-1,-1)
34.99 2.5643 86.9 (3,1,-3)
35.42 2.5343 43.1 (1,-1,2)
35.42 2.5343 43.1 (1,-1,-2)
35.94 2.4990 67.3 (2,-2,1)
39.50 2.2814 3.3 (3,0,-3)
40.34 2.2357 8.2 (3,3,-3)
41.01 2.2011 1.2 (1,0,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.68359
eV/atom
能量/原子
-33.44210
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.4421
eV/atom
体积/原子
26.55
ų
c/a 比
1.0097

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.4837
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.001140
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Dy · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
89.8028
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.387%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3625
越小混合越稳定
VEC
7.938
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.133
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3265863
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy10Ga3Bi2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265863, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy10Ga3Bi2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.71351907
_cell_length_b   8.71351886
_cell_length_c   8.79812098
_cell_angle_alpha   125.93010157
_cell_angle_beta   125.93009863
_cell_angle_gamma   79.33942832
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy10Ga3Bi2Os
_chemical_formula_sum   'Dy10 Ga3 Bi2 Os1'
_cell_volume   424.85663881
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.00929563  0.00611668  0.01541331  1.0
  Dy  Dy1  1  0.49388332  0.49070437  0.98458669  1.0
  Dy  Dy2  1  0.78412501  0.29533529  0.80151665  1.0
  Dy  Dy3  1  0.20466471  0.71587499  0.19848335  1.0
  Dy  Dy4  1  0.48260736  0.99381663  0.19848335  1.0
  Dy  Dy5  1  0.30714275  0.46062829  0.50000000  1.0
  Dy  Dy6  1  0.03937171  0.19285725  0.50000000  1.0
  Dy  Dy7  1  0.50618337  0.01739264  0.80151665  1.0
  Dy  Dy8  1  0.70287381  0.52049900  0.50000000  1.0
  Dy  Dy9  1  0.97950100  0.79712619  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.13453241  0.64219325  0.77672566  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85780675  0.36546759  0.22327434  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63320146  0.86679854  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24637425  0.25362575  0.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74637425  0.75362575  0.00000000  1.0
  Os  Os15  1  0.37206520  0.12793480  0.50000000  1.0
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