导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Y2Ga3Tc8Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265929 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Y2Ga3Tc8Ge
MP-ID
mp-3265929
元素数
4
位点数
14
密度
9.0225
g/cm³
体积
228.88
ų
晶胞参数 a
7.2612
Å
晶胞参数 b
7.2612
Å
晶胞参数 c
4.3410
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.06
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.35974
eV/atom
能量/原子
-21.54151
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-21.5415
eV/atom
体积/原子
16.35
ų
c/a 比
0.5978

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0027
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.571
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1164
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.2815
J/mol·K
Ω 参数
2.8648
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.542%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2385
越小混合越稳定
VEC
4.214
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.822
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8053
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3265929
参考引用

The crystal structure and related material properties of Y2Ga3Tc8Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265929, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Y2Ga3Tc8Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.26121173
_cell_length_b   7.26121173
_cell_length_c   4.34102254
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.06124838
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Y2Ga3Tc8Ge
_chemical_formula_sum   'Y2 Ga3 Tc8 Ge1'
_cell_volume   228.88113259
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Y  Y0  1  0.99960615  0.00039385  0.00000000  1.0
  Y  Y1  1  0.50047620  0.49952380  0.50000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.29394508  0.29280038  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.70719962  0.70605492  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.79255591  0.20744409  0.50000000  1.0
  Tc  Tc5  1  0.60630867  0.14461510  0.00000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.39469451  0.85433924  0.00000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.64469534  0.89359788  0.50000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.10640212  0.35530466  0.50000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.35092341  0.10448323  0.50000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.89551677  0.64907659  0.50000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.14566076  0.60530549  0.00000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.85538490  0.39369133  0.00000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.20663154  0.79336846  0.50000000  1.0
获取直接链接