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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Hf4V4Si3As

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3265971 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Hf4V4Si3As
MP-ID
mp-3265971
元素数
4
位点数
12
密度
9.3983
g/cm³
体积
190.27
ų
晶胞参数 a
3.5163
Å
晶胞参数 b
6.7220
Å
晶胞参数 c
8.0500
Å
α 角
90.06
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.81760
eV/atom
能量/原子
-23.98367
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.9837
eV/atom
体积/原子
15.86
ų
c/a 比
2.2894

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.0060
μB
磁有序
AFM
磁性位点数
4
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Hf · 0.333
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2861
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6923
J/mol·K
Ω 参数
0.6184
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.782%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2824
越小混合越稳定
VEC
4.250
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-35.889
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9277
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3265971
参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf4V4Si3As were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3265971, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Hf4V4Si3As
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.51627099
_cell_length_b   6.72196888
_cell_length_c   8.05000837
_cell_angle_alpha   90.05632714
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf4V4Si3As
_chemical_formula_sum   'Hf4 V4 Si3 As1'
_cell_volume   190.27203246
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.25000000  0.05251728  0.83340568  1.0
  Hf  Hf1  1  0.25000000  0.54401506  0.66350414  1.0
  Hf  Hf2  1  0.75000000  0.95493125  0.16999174  1.0
  Hf  Hf3  1  0.75000000  0.45334833  0.33339758  1.0
  V  V4  1  0.25000000  0.12394085  0.44326309  1.0
  V  V5  1  0.25000000  0.62350201  0.05887616  1.0
  V  V6  1  0.75000000  0.87486292  0.55533575  1.0
  V  V7  1  0.75000000  0.37184102  0.94381904  1.0
  Si  Si8  1  0.25000000  0.75619427  0.36191211  1.0
  Si  Si9  1  0.25000000  0.25738131  0.13837411  1.0
  Si  Si10  1  0.75000000  0.24304443  0.63682030  1.0
  As  As11  1  0.75000000  0.74442227  0.86129829  1.0
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