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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ac4GaP3Ir4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3266295 · 空间群: R3 (#146)

基础信息

化学式
Ac4GaP3Ir4
MP-ID
mp-3266295
元素数
4
位点数
12
密度
11.1905
g/cm³
体积
272.96
ų
晶胞参数 a
6.4884
Å
晶胞参数 b
6.4884
Å
晶胞参数 c
6.4884
Å
α 角
91.24
°
β 角
91.24
°
γ 角
88.76
°
空间群
R3
点群
3
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hR
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-1.16747
eV/atom
能量/原子
-44.70383
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-44.7038
eV/atom
体积/原子
22.75
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0007
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ac · 0.333
元素家族
Actinide
溶质分数
0.667
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2861
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6923
J/mol·K
Ω 参数
5.9445
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
22.828%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.5047
越小混合越稳定
VEC
5.167
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
2.624
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9277
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266295
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ac4GaP3Ir4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266295, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ac4GaP3Ir4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.48835896
_cell_length_b   6.48835896
_cell_length_c   6.48835896
_cell_angle_alpha   91.23946285
_cell_angle_beta   91.23946285
_cell_angle_gamma   88.76053715
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ac4GaP3Ir4
_chemical_formula_sum   'Ac4 Ga1 P3 Ir4'
_cell_volume   272.96312611
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ac  Ac0  1  0.38048869  0.88048869  0.61951131  1.0
  Ac  Ac1  1  0.88125036  0.63031061  0.37670949  1.0
  Ac  Ac2  1  0.62329051  0.38125036  0.86968939  1.0
  Ac  Ac3  1  0.13031061  0.12329051  0.11874964  1.0
  Ga  Ga4  1  0.66261753  0.16261753  0.33738247  1.0
  P  P5  1  0.15974897  0.33753807  0.66353009  1.0
  P  P6  1  0.33646991  0.65974897  0.16246193  1.0
  P  P7  1  0.83753807  0.83646991  0.84025103  1.0
  Ir  Ir8  1  0.08621699  0.58621699  0.91378301  1.0
  Ir  Ir9  1  0.57441031  0.89595506  0.06829702  1.0
  Ir  Ir10  1  0.93170298  0.07441031  0.60404494  1.0
  Ir  Ir11  1  0.39595506  0.43170298  0.42558969  1.0
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