V10Ga4Si2C
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3266470 · 空间群: Cm (#8)
基础信息
化学式
V10Ga4Si2C
MP-ID
mp-3266470
元素数
4
位点数
17
密度
6.4831
g/cm³
体积
219.38
ų
晶胞参数 a
7.2326
Å
晶胞参数 b
7.2449
Å
晶胞参数 c
4.8370
Å
α 角
89.90
°
β 角
90.05
°
γ 角
120.06
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.46228
eV/atom
能量/原子
-13.06002
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-13.0600
eV/atom
体积/原子
12.90
ų
c/a 比
0.6688
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.588
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.412
间隙分数
0.176
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0710
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.9044
J/mol·K
Ω 参数
0.5677
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.950%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2226
越小混合越稳定
VEC
4.353
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-27.897
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7726
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266470
参考引用
The crystal structure and related material properties of V10Ga4Si2C were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266470, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V10Ga4Si2C
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.23262665
_cell_length_b 7.24489371
_cell_length_c 4.83702264
_cell_angle_alpha 89.89844693
_cell_angle_beta 90.05086329
_cell_angle_gamma 120.05611684
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V10Ga4Si2C
_chemical_formula_sum 'V10 Ga4 Si2 C1'
_cell_volume 219.37658755
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 1.00000000 0.77190002 0.24802578 1.0
V V1 1 0.23484745 0.23469276 0.25114073 1.0
V V2 1 0.76515255 0.99984531 0.25114073 1.0
V V3 1 1.00000000 0.22921824 0.74975807 1.0
V V4 1 0.76345406 0.76851127 0.74826607 1.0
V V5 1 0.23654594 0.00505721 0.74826607 1.0
V V6 1 0.33853717 0.66729025 0.99625744 1.0
V V7 1 0.66146283 0.32875307 0.99625744 1.0
V V8 1 0.65999990 0.32790482 0.50397209 1.0
V V9 1 0.34000010 0.66790592 0.50397209 1.0
Ga Ga10 1 1.00000000 0.40525386 0.24754806 1.0
Ga Ga11 1 0.59970472 0.59626864 0.24600348 1.0
Ga Ga12 1 0.40029528 0.99656392 0.24600348 1.0
Ga Ga13 1 0.00000000 0.59852185 0.75194689 1.0
Si Si14 1 0.40131237 0.40226243 0.75627956 1.0
Si Si15 1 0.59868763 0.00095007 0.75627956 1.0
C C16 1 0.00000000 0.99910238 0.49888246 1.0