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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho3Si2GeOs2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3266554 · 空间群: Cmcm (#63)

基础信息

化学式
Ho3Si2GeOs2
MP-ID
mp-3266554
元素数
4
位点数
16
密度
10.9183
g/cm³
体积
305.41
ų
晶胞参数 a
5.7221
Å
晶胞参数 b
5.7221
Å
晶胞参数 c
13.7405
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
137.25
°
空间群
Cmcm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.89 6.8702 4.8 (0,0,2)
16.64 5.3284 29.5 (1,-1,0)
21.10 4.2105 3.2 (1,-1,2)
22.89 3.8845 12.4 (0,1,0)
22.89 3.8845 12.4 (1,0,0)
25.65 3.4733 4.9 (1,-1,3)
25.94 3.4351 9.2 (0,0,4)
26.36 3.3814 32.7 (1,0,2)
30.17 2.9625 47.8 (1,0,3)
30.97 2.8871 4.1 (1,-1,4)
33.64 2.6642 2.1 (2,-2,0)
33.78 2.6536 81.8 (2,-1,1)
34.29 2.6155 30.7 (2,-2,1)
34.87 2.5733 100.0 (1,0,4)
35.68 2.5166 21.1 (1,-2,2)
35.68 2.5166 21.1 (2,-1,2)
36.16 2.4840 10.4 (2,-2,2)
36.80 2.4424 23.4 (1,-1,5)
38.66 2.3288 44.6 (1,-2,3)
38.66 2.3288 44.6 (2,-1,3)
39.12 2.3029 47.8 (2,-2,3)
39.34 2.2901 43.4 (0,0,6)
40.20 2.2434 4.3 (0,1,5)
40.20 2.2434 4.3 (1,0,5)
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能量属性

形成能/原子
-0.88536
eV/atom
能量/原子
-30.38961
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.3896
eV/atom
体积/原子
19.09
ų
c/a 比
2.4013

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0008
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.375
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.625
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
1,008.9186
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.093%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4074
越小混合越稳定
VEC
7.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.022
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266554
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3Si2GeOs2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266554, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho3Si2GeOs2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.72205832
_cell_length_b   5.72205880
_cell_length_c   13.74044557
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   137.24543486
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3Si2GeOs2
_chemical_formula_sum   'Ho6 Si4 Ge2 Os4'
_cell_volume   305.41133647
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.85427720  0.14572280  0.25000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.14572280  0.85427720  0.75000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.42494078  0.57505922  0.88686853  1.0
  Ho  Ho3  1  0.57505922  0.42494078  0.11313147  1.0
  Ho  Ho4  1  0.57505922  0.42494078  0.38686853  1.0
  Ho  Ho5  1  0.42494078  0.57505922  0.61313147  1.0
  Si  Si6  1  0.11839614  0.88160386  0.53844285  1.0
  Si  Si7  1  0.88160386  0.11839614  0.46155715  1.0
  Si  Si8  1  0.88160386  0.11839614  0.03844285  1.0
  Si  Si9  1  0.11839614  0.88160386  0.96155715  1.0
  Ge  Ge10  1  0.16456210  0.83543790  0.25000000  1.0
  Ge  Ge11  1  0.83543790  0.16456210  0.75000000  1.0
  Os  Os12  1  0.71117880  0.28882120  0.58017492  1.0
  Os  Os13  1  0.28882120  0.71117880  0.41982508  1.0
  Os  Os14  1  0.28882120  0.71117880  0.08017492  1.0
  Os  Os15  1  0.71117880  0.28882120  0.91982508  1.0
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