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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho10Ga3Bi2Pt

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3266598 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Ho10Ga3Bi2Pt
MP-ID
mp-3266598
元素数
4
位点数
16
密度
9.7615
g/cm³
体积
420.43
ų
晶胞参数 a
8.5537
Å
晶胞参数 b
8.5537
Å
晶胞参数 c
8.7138
Å
α 角
124.42
°
β 角
124.42
°
γ 角
81.27
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.95 6.8380 10.1 (1,0,-1)
12.95 6.8380 3.4 (0,1,0)
13.64 6.4910 2.3 (1,1,-1)
15.91 5.5707 8.1 (1,-1,0)
20.51 4.3306 3.7 (1,1,-2)
20.51 4.3306 3.7 (1,1,0)
21.02 4.2274 2.5 (2,0,-1)
22.10 4.0222 6.0 (1,-1,1)
23.34 3.8109 1.1 (2,1,-2)
25.28 3.5232 14.3 (1,0,-2)
26.06 3.4190 1.4 (2,0,-2)
26.11 3.4133 17.7 (2,-1,-1)
30.76 2.9068 20.6 (0,0,2)
31.57 2.8338 36.2 (2,2,-3)
31.91 2.8043 34.7 (3,1,-2)
32.02 2.7947 100.0 (2,1,-3)
32.14 2.7854 14.5 (2,-2,0)
32.70 2.7389 98.4 (3,0,-2)
34.81 2.5771 86.9 (1,-1,2)
35.06 2.5597 2.1 (3,-1,-1)
35.54 2.5258 72.1 (3,1,-3)
35.75 2.5119 75.8 (2,-2,1)
39.54 2.2793 1.3 (3,0,-3)
41.71 2.1653 5.2 (2,2,-4)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.78232
eV/atom
能量/原子
-34.00945
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.0095
eV/atom
体积/原子
26.28
ų
c/a 比
1.0187

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.2703
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000640
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
6.6922
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.132%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3680
越小混合越稳定
VEC
8.688
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.728
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266598
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10Ga3Bi2Pt were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266598, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho10Ga3Bi2Pt
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.55369244
_cell_length_b   8.55369251
_cell_length_c   8.71379595
_cell_angle_alpha   124.42116536
_cell_angle_beta   124.42116208
_cell_angle_gamma   81.27429690
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10Ga3Bi2Pt
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga3 Bi2 Pt1'
_cell_volume   420.43080181
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.99495125  0.99870535  0.99365660  1.0
  Ho  Ho1  1  0.50129465  0.50504875  0.00634340  1.0
  Ho  Ho2  1  0.78287179  0.29481703  0.79776925  1.0
  Ho  Ho3  1  0.20518297  0.71712821  0.20223075  1.0
  Ho  Ho4  1  0.48510354  0.99704778  0.20223075  1.0
  Ho  Ho5  1  0.29873180  0.46690816  0.50000000  1.0
  Ho  Ho6  1  0.03309184  0.20126820  0.50000000  1.0
  Ho  Ho7  1  0.50295222  0.01489646  0.79776925  1.0
  Ho  Ho8  1  0.70833842  0.51502407  0.50000000  1.0
  Ho  Ho9  1  0.98497593  0.79166158  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.14829384  0.64750487  0.79579871  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85249513  0.35170616  0.20420129  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63915743  0.86084257  0.50000000  1.0
  Bi  Bi13  1  0.24635093  0.25364907  0.00000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.74635093  0.75364907  0.00000000  1.0
  Pt  Pt15  1  0.36985435  0.13014565  0.50000000  1.0
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