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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V10GaSi3Rh2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3266753 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V10GaSi3Rh2
MP-ID
mp-3266753
元素数
4
位点数
16
密度
6.9812
g/cm³
体积
206.75
ų
晶胞参数 a
4.6626
Å
晶胞参数 b
4.7078
Å
晶胞参数 c
9.4189
Å
α 角
90.17
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.55457
eV/atom
能量/原子
-14.73784
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-14.7378
eV/atom
体积/原子
12.92
ų
c/a 比
2.0201

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0011
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.625
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.188
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
0.5337
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.096%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2191
越小混合越稳定
VEC
5.188
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-32.089
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266753
参考引用

The crystal structure and related material properties of V10GaSi3Rh2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266753, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V10GaSi3Rh2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.66255619
_cell_length_b   4.70782990
_cell_length_c   9.41888676
_cell_angle_alpha   90.17039445
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10GaSi3Rh2
_chemical_formula_sum   'V10 Ga1 Si3 Rh2'
_cell_volume   206.74856142
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00000000  0.50032267  0.62605053  1.0
  V  V1  1  0.50000000  0.24556856  0.25433303  1.0
  V  V2  1  0.75126088  0.99560234  0.99928245  1.0
  V  V3  1  0.75370132  0.99910437  0.49891647  1.0
  V  V4  1  0.00000000  0.50573433  0.86546217  1.0
  V  V5  1  0.00000000  0.50386190  0.38482770  1.0
  V  V6  1  0.50000000  0.74570633  0.74741862  1.0
  V  V7  1  0.50000000  0.75911679  0.25331653  1.0
  V  V8  1  0.24873912  0.99560234  0.99928245  1.0
  V  V9  1  0.24629868  0.99910437  0.49891647  1.0
  Ga  Ga10  1  0.50000000  0.49885986  0.99946569  1.0
  Si  Si11  1  0.50000000  0.50600082  0.49578096  1.0
  Si  Si12  1  0.00000000  0.99517073  0.74997058  1.0
  Si  Si13  1  0.00000000  0.00237644  0.25380446  1.0
  Rh  Rh14  1  0.00000000  0.50250992  0.12737730  1.0
  Rh  Rh15  1  0.50000000  0.24535922  0.74579460  1.0
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