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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V7Ga(TcOs)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3266860 · 空间群: Pmm2 (#25)

基础信息

化学式
V7Ga(TcOs)4
MP-ID
mp-3266860
元素数
4
位点数
16
密度
12.0352
g/cm³
体积
217.89
ų
晶胞参数 a
6.0223
Å
晶胞参数 b
4.2512
Å
晶胞参数 c
8.5109
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.43618
eV/atom
能量/原子
-27.05301
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.0530
eV/atom
体积/原子
13.62
ų
c/a 比
1.4132

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.438
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.563
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2281
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2105
J/mol·K
Ω 参数
2.0031
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
0.369%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2292
越小混合越稳定
VEC
5.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-12.274
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8859
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266860
参考引用

The crystal structure and related material properties of V7Ga(TcOs)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266860, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V7Ga(TcOs)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.02231402
_cell_length_b   4.25114720
_cell_length_c   8.51085940
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   89.99984638
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V7Ga(TcOs)4
_chemical_formula_sum   'V7 Ga1 Tc4 Os4'
_cell_volume   217.89283821
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.49995738  0.75000100  0.12500274  1.0
  V  V1  1  0.00024117  0.25000100  0.37123449  1.0
  V  V2  1  0.50014615  0.25000100  0.37602985  1.0
  V  V3  1  0.50154535  0.75000100  0.62500616  1.0
  V  V4  1  0.00286831  0.75000100  0.62499606  1.0
  V  V5  1  0.50014943  0.25000100  0.87396453  1.0
  V  V6  1  0.00022897  0.25000100  0.87876128  1.0
  Ga  Ga7  1  0.99936041  0.75000100  0.12501708  1.0
  Tc  Tc8  1  0.74459121  0.25000100  0.12499456  1.0
  Tc  Tc9  1  0.25156600  0.75000100  0.37853898  1.0
  Tc  Tc10  1  0.74998730  0.25000100  0.62500159  1.0
  Tc  Tc11  1  0.25156397  0.75000100  0.87145811  1.0
  Os  Os12  1  0.25225038  0.25000100  0.12499510  1.0
  Os  Os13  1  0.74808554  0.75000100  0.37831287  1.0
  Os  Os14  1  0.24937361  0.25000100  0.62500039  1.0
  Os  Os15  1  0.74808380  0.75000100  0.87168321  1.0
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