V7Ga(TcOs)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3266860 · 空间群: Pmm2 (#25)

Materials Project API

基础信息

化学式

V7Ga(TcOs)4

MP-ID

mp-3266860

元素数

位点数

密度

12.0352

g/cm³

体积

217.89

Å³

晶胞参数 a

6.0223

晶胞参数 b

4.2512

晶胞参数 c

8.5109

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

Pmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
25.63	3.4754	8.8	(1,0,2)
25.63	3.4754	8.8	(1,0,-2)
25.65	3.4730	17.5	(1,1,0)
29.67	3.0112	27.8	(2,0,0)
29.70	3.0075	55.4	(0,1,2)
42.48	2.1279	100.0	(2,1,2)
42.48	2.1279	100.0	(2,1,-2)
42.49	2.1277	49.9	(0,0,4)
42.53	2.1256	49.9	(0,2,0)
50.25	1.8156	1.6	(3,0,2)
50.25	1.8156	1.6	(3,0,-2)
50.26	1.8152	3.1	(3,1,0)
50.29	1.8143	3.1	(1,1,4)
50.29	1.8143	3.1	(1,1,-4)
50.32	1.8133	3.1	(1,2,2)
50.32	1.8133	3.1	(1,2,-2)
52.67	1.7377	6.0	(2,0,4)
52.67	1.7377	6.0	(2,0,-4)
52.71	1.7365	12.0	(2,2,0)
61.60	1.5056	16.2	(4,0,0)
61.68	1.5038	32.2	(0,2,4)
67.87	1.3810	1.3	(3,1,4)
67.87	1.3810	1.3	(3,1,-4)
67.89	1.3805	1.3	(3,2,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.43618

eV/atom

能量/原子

-27.05301

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-27.0530

eV/atom

体积/原子

13.62

Å³

c/a 比

1.4132

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0004

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.438

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.563

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2281

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.2105

J/mol·K

Ω 参数

2.0031

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

0.369%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2292

越小混合越稳定

VEC

5.625

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-12.274

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8859

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdwqm

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3266860

参考引用

The crystal structure and related material properties of V7Ga(TcOs)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266860, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V7Ga(TcOs)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.02231402
_cell_length_b   4.25114720
_cell_length_c   8.51085940
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   89.99984638
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V7Ga(TcOs)4
_chemical_formula_sum   'V7 Ga1 Tc4 Os4'
_cell_volume   217.89283821
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.49995738  0.75000100  0.12500274  1.0
  V  V1  1  0.00024117  0.25000100  0.37123449  1.0
  V  V2  1  0.50014615  0.25000100  0.37602985  1.0
  V  V3  1  0.50154535  0.75000100  0.62500616  1.0
  V  V4  1  0.00286831  0.75000100  0.62499606  1.0
  V  V5  1  0.50014943  0.25000100  0.87396453  1.0
  V  V6  1  0.00022897  0.25000100  0.87876128  1.0
  Ga  Ga7  1  0.99936041  0.75000100  0.12501708  1.0
  Tc  Tc8  1  0.74459121  0.25000100  0.12499456  1.0
  Tc  Tc9  1  0.25156600  0.75000100  0.37853898  1.0
  Tc  Tc10  1  0.74998730  0.25000100  0.62500159  1.0
  Tc  Tc11  1  0.25156397  0.75000100  0.87145811  1.0
  Os  Os12  1  0.25225038  0.25000100  0.12499510  1.0
  Os  Os13  1  0.74808554  0.75000100  0.37831287  1.0
  Os  Os14  1  0.24937361  0.25000100  0.62500039  1.0
  Os  Os15  1  0.74808380  0.75000100  0.87168321  1.0

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