V10Ga3Si3N
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3266887 · 空间群: P31m (#157)
基础信息
化学式
V10Ga3Si3N
MP-ID
mp-3266887
元素数
4
位点数
17
密度
6.2780
g/cm³
体积
216.06
ų
晶胞参数 a
7.1983
Å
晶胞参数 b
7.1983
Å
晶胞参数 c
4.8148
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P31m
点群
3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405
能量属性
形成能/原子
-0.59289
eV/atom
能量/原子
-12.98548
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.9855
eV/atom
体积/原子
12.71
ų
c/a 比
0.6689
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.0070
μB
磁有序
AFM
磁性位点数
4
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.588
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.412
间隙分数
0.235
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0910
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.0706
J/mol·K
Ω 参数
0.3759
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.517%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3304
越小混合越稳定
VEC
4.471
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-39.547
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7870
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3266887
参考引用
The crystal structure and related material properties of V10Ga3Si3N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3266887, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V10Ga3Si3N
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.19827174
_cell_length_b 7.19827217
_cell_length_c 4.81482587
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.00001156
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V10Ga3Si3N
_chemical_formula_sum 'V10 Ga3 Si3 N1'
_cell_volume 216.05666488
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.00000000 0.76764634 0.25418468 1.0
V V1 1 0.23235366 0.23235366 0.25418468 1.0
V V2 1 0.76764634 0.00000000 0.25418468 1.0
V V3 1 1.00000000 0.23003898 0.74423748 1.0
V V4 1 0.76996102 0.76996102 0.74423748 1.0
V V5 1 0.23003898 1.00000000 0.74423748 1.0
V V6 1 0.33333300 0.66666700 0.50659176 1.0
V V7 1 0.66666700 0.33333300 0.50659176 1.0
V V8 1 0.66666700 0.33333300 0.99347375 1.0
V V9 1 0.33333300 0.66666700 0.99347375 1.0
Ga Ga10 1 0.00000000 0.40451749 0.24432655 1.0
Ga Ga11 1 0.59548251 0.59548251 0.24432655 1.0
Ga Ga12 1 0.40451749 0.00000000 0.24432655 1.0
Si Si13 1 1.00000000 0.59817889 0.75823471 1.0
Si Si14 1 0.40182111 0.40182111 0.75823471 1.0
Si Si15 1 0.59817889 1.00000000 0.75823471 1.0
N N16 1 0.00000000 0.00000000 0.49692171 1.0