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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ti6V4Ga5Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3267576 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ti6V4Ga5Si
MP-ID
mp-3267576
元素数
4
位点数
16
密度
5.9647
g/cm³
体积
241.55
ų
晶胞参数 a
7.4485
Å
晶胞参数 b
7.4572
Å
晶胞参数 c
5.0235
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.04
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.72 6.4556 18.4 (1,-1,0,0)
13.73 6.4481 34.5 (1,0,-1,0)
17.66 5.0235 2.1 (0,0,0,1)
22.43 3.9646 4.6 (1,-1,0,1)
22.44 3.9628 2.6 (1,0,-1,1)
23.87 3.7286 6.3 (1,-2,1,0)
23.89 3.7243 2.9 (2,-1,-1,0)
27.64 3.2278 2.5 (2,-2,0,0)
29.84 2.9940 5.6 (1,-2,1,1)
29.87 2.9918 18.3 (2,-1,-1,1)
32.99 2.7155 1.7 (2,-2,0,1)
32.99 2.7155 1.7 (0,2,-2,1)
33.01 2.7133 1.6 (2,0,-2,1)
35.75 2.5118 52.4 (0,0,0,2)
36.82 2.4408 11.9 (2,-3,1,0)
36.82 2.4408 11.9 (1,-3,2,0)
36.86 2.4388 29.5 (3,-2,-1,0)
36.87 2.4376 14.2 (3,-1,-2,0)
38.46 2.3408 17.1 (1,-1,0,2)
38.46 2.3405 1.4 (1,0,-1,2)
41.12 2.1954 71.7 (2,-3,1,1)
41.15 2.1939 35.9 (3,-2,-1,1)
41.15 2.1939 35.9 (1,2,-3,1)
41.16 2.1930 53.0 (3,-1,-2,1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.49788
eV/atom
能量/原子
-12.99616
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.9962
eV/atom
体积/原子
15.10
ų
c/a 比
0.6744

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0007
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ti · 0.375
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.063
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2512
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.4021
J/mol·K
Ω 参数
1.0167
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.825%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1272
越小混合越稳定
VEC
3.938
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.077
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9025
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3267576
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ti6V4Ga5Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3267576, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ti6V4Ga5Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.44850189
_cell_length_b   7.45714541
_cell_length_c   5.02351054
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.03839923
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ti6V4Ga5Si
_chemical_formula_sum   'Ti6 V4 Ga5 Si1'
_cell_volume   241.55237887
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.75825081  0.75944514  0.75000000  1.0
  Ti  Ti1  1  0.24174919  0.00119433  0.75000000  1.0
  Ti  Ti2  1  0.00000000  0.24759545  0.75000000  1.0
  Ti  Ti3  1  0.23972454  0.24401794  0.25000000  1.0
  Ti  Ti4  1  0.76027546  0.00429440  0.25000000  1.0
  Ti  Ti5  1  1.00000000  0.75196033  0.25000000  1.0
  V  V6  1  0.67188641  0.33391559  0.00217222  1.0
  V  V7  1  0.32811359  0.66203018  0.00217222  1.0
  V  V8  1  0.32811359  0.66203018  0.49782778  1.0
  V  V9  1  0.67188641  0.33391559  0.49782778  1.0
  Ga  Ga10  1  0.40318939  0.40028508  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.59681061  0.99709569  0.75000000  1.0
  Ga  Ga12  1  1.00000000  0.60292975  0.75000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.60101437  0.60133528  0.25000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.39898563  0.00031991  0.25000000  1.0
  Si  Si15  1  0.00000000  0.39763417  0.25000000  1.0
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