导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb4TmGa2Bi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3267596 · 空间群: I4/mcm (#140)

基础信息

化学式
Tb4TmGa2Bi
MP-ID
mp-3267596
元素数
4
位点数
16
密度
8.9628
g/cm³
体积
427.26
ų
晶胞参数 a
8.6785
Å
晶胞参数 b
8.6785
Å
晶胞参数 c
8.6785
Å
α 角
124.42
°
β 角
124.42
°
γ 角
82.49
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
15.49 5.7218 6.3 (1,-1,0)
20.65 4.3021 1.1 (2,0,-1)
21.97 4.0460 2.6 (1,-1,1)
25.54 3.4872 23.1 (2,-1,-1)
31.27 2.8609 9.9 (2,-2,0)
31.27 2.8609 9.9 (0,0,2)
31.57 2.8342 47.2 (3,1,-2)
32.18 2.7820 100.0 (3,0,-2)
35.07 2.5589 66.1 (2,-2,1)
35.07 2.5589 22.0 (1,-1,-2)
35.34 2.5397 37.4 (3,1,-1)
41.52 2.1750 4.5 (3,3,-3)
42.00 2.1510 4.2 (4,0,-2)
42.00 2.1510 4.2 (2,2,0)
42.71 2.1169 10.0 (4,1,-3)
44.57 2.0331 3.0 (4,2,-3)
45.02 2.0135 2.5 (4,0,-3)
45.48 1.9945 1.0 (1,-4,2)
45.48 1.9945 3.0 (1,-4,1)
46.81 1.9408 1.9 (3,-2,-2)
47.46 1.9158 2.5 (4,2,-2)
47.68 1.9073 1.7 (3,-3,0)
47.68 1.9073 1.7 (0,0,3)
50.44 1.8094 4.1 (3,-3,1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.70308
eV/atom
能量/原子
-30.87991
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.8799
eV/atom
体积/原子
26.70
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.7868
μB
磁有序
FM
磁性位点数
10
磁化强度/体积
0.001840
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.500
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
10.2764
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.387%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3712
越小混合越稳定
VEC
7.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.163
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3267596
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb4TmGa2Bi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3267596, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb4TmGa2Bi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.67849321
_cell_length_b   8.67849328
_cell_length_c   8.67849259
_cell_angle_alpha   124.42362326
_cell_angle_beta   124.42361008
_cell_angle_gamma   82.49492303
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb4TmGa2Bi
_chemical_formula_sum   'Tb8 Tm2 Ga4 Bi2'
_cell_volume   427.25556763
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.51239791  0.01239791  0.80620659  1.0
  Tb  Tb1  1  0.20619233  0.70619233  0.19379341  1.0
  Tb  Tb2  1  0.01239791  0.20619233  0.50000000  1.0
  Tb  Tb3  1  0.70619233  0.51239791  0.50000000  1.0
  Tb  Tb4  1  0.48760209  0.98760209  0.19379341  1.0
  Tb  Tb5  1  0.79380767  0.29380767  0.80620659  1.0
  Tb  Tb6  1  0.98760209  0.79380767  0.50000000  1.0
  Tb  Tb7  1  0.29380767  0.48760209  0.50000000  1.0
  Tm  Tm8  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Tm  Tm9  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.14988938  0.64988938  0.79977876  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85011062  0.35011062  0.20022124  1.0
  Ga  Ga12  1  0.64988938  0.85011062  0.50000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.35011062  0.14988938  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
获取直接链接