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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

CeThMgSi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3267677 · 空间群: Pmc2_1 (#26)

基础信息

化学式
CeThMgSi2
MP-ID
mp-3267677
元素数
4
位点数
10
密度
6.3000
g/cm³
体积
238.61
ų
晶胞参数 a
7.3739
Å
晶胞参数 b
7.3806
Å
晶胞参数 c
4.3842
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmc2_1
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.99 7.3806 22.5 (0,1,0)
17.00 5.2165 13.5 (1,-1,0)
17.00 5.2165 13.5 (1,1,0)
20.26 4.3842 100.0 (0,0,1)
23.60 3.7693 9.9 (0,1,1)
24.12 3.6903 33.3 (0,2,0)
24.14 3.6869 36.6 (2,0,0)
26.56 3.3563 6.3 (1,-1,1)
26.56 3.3563 6.4 (1,1,1)
27.02 3.3001 31.4 (1,-2,0)
27.02 3.3001 31.3 (1,2,0)
27.03 3.2983 32.4 (2,-1,0)
27.03 3.2983 32.4 (2,1,0)
31.69 2.8233 60.9 (0,2,1)
31.71 2.8218 64.1 (2,0,1)
34.00 2.6366 63.4 (1,-2,1)
34.00 2.6366 63.3 (1,2,1)
34.01 2.6357 64.8 (2,-1,1)
34.01 2.6357 64.8 (2,1,1)
34.38 2.6083 10.9 (2,-2,0)
34.38 2.6082 10.9 (2,2,0)
38.58 2.3338 12.0 (1,-3,0)
38.58 2.3337 12.1 (1,3,0)
38.61 2.3321 10.6 (3,-1,0)
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能量属性

形成能/原子
-0.65954
eV/atom
能量/原子
-25.86608
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.8661
eV/atom
体积/原子
23.86
ų
c/a 比
0.5946

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
1.9966
μB
磁有序
FM
磁性位点数
2
磁化强度/体积
0.008370
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3322
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0757
J/mol·K
Ω 参数
0.8071
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.513%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3287
越小混合越稳定
VEC
3.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-20.529
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9610
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3267677
参考引用

The crystal structure and related material properties of CeThMgSi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3267677, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_CeThMgSi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.37388379
_cell_length_b   7.38063840
_cell_length_c   4.38420360
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00045795
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   CeThMgSi2
_chemical_formula_sum   'Ce2 Th2 Mg2 Si4'
_cell_volume   238.60576499
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ce  Ce0  1  0.82019284  0.67925572  0.50000000  1.0
  Ce  Ce1  1  0.32002740  0.82083232  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.67814886  0.17927970  0.50000000  1.0
  Th  Th3  1  0.17817601  0.32070295  0.50000000  1.0
  Mg  Mg4  1  0.00002112  0.99799956  0.00000000  1.0
  Mg  Mg5  1  0.50008784  0.50204236  0.00000000  1.0
  Si  Si6  1  0.88594598  0.38164569  0.00000000  1.0
  Si  Si7  1  0.38595119  0.11831892  0.00000000  1.0
  Si  Si8  1  0.61569764  0.88844747  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.11575211  0.61147531  0.00000000  1.0
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