Th3Ga3OsRh2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3267883 · 空间群: P-6 (#174)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th3Ga3OsRh2

MP-ID

mp-3267883

元素数

位点数

密度

11.7598

g/cm³

体积

183.75

Å³

晶胞参数 a

7.2490

晶胞参数 b

7.2490

晶胞参数 c

4.0378

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-6

点群

-6

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
14.11	6.2778	14.6	(1,0,-1,0)
22.01	4.0378	6.4	(0,0,0,1)
24.56	3.6245	18.5	(2,-1,-1,0)
26.24	3.3960	1.6	(1,0,-1,1)
28.43	3.1389	18.3	(2,0,-2,0)
33.22	2.6972	96.8	(2,-1,-1,1)
36.25	2.4782	100.0	(2,0,-2,1)
37.92	2.3728	38.5	(3,-1,-2,0)
43.23	2.0926	21.6	(3,0,-3,0)
44.28	2.0457	17.8	(3,-1,-2,1)
44.90	2.0189	25.4	(0,0,0,2)
47.30	1.9220	1.6	(1,0,-1,2)
50.35	1.8123	8.3	(4,-2,-2,0)
51.84	1.7637	5.2	(2,-1,-1,2)
52.56	1.7412	20.2	(4,-1,-3,0)
54.00	1.6980	6.5	(2,0,-2,2)
57.66	1.5988	29.4	(4,-1,-3,1)
60.18	1.5376	20.2	(3,-1,-2,2)
64.09	1.4529	13.4	(3,0,-3,2)
64.73	1.4402	1.0	(5,-2,-3,0)
68.49	1.3699	2.4	(5,-4,-1,0)
68.49	1.3699	2.4	(5,-1,-4,0)
69.26	1.3565	11.1	(5,-3,-2,1)
69.26	1.3565	10.4	(5,-2,-3,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.82397

eV/atom

能量/原子

-40.38083

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-40.3808

eV/atom

体积/原子

20.42

Å³

c/a 比

0.5570

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.333

元素家族

Actinide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

10.3910

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.270%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3901

越小混合越稳定

VEC

4.556

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.752

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdydv

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3267883

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th3Ga3OsRh2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3267883, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th3Ga3OsRh2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.24901341
_cell_length_b   7.24901352
_cell_length_c   4.03780405
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000390
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th3Ga3OsRh2
_chemical_formula_sum   'Th3 Ga3 Os1 Rh2'
_cell_volume   183.75267378
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00203931  0.41824555  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.58175445  0.58379377  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.41620623  0.99796069  0.50000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.00321664  0.76609304  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.23390696  0.23712360  0.00000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.76287640  0.99678336  0.00000000  1.0
  Os  Os6  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Rh  Rh7  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Rh  Rh8  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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