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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Dy10Ga3TcBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3268046 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Dy10Ga3TcBi2
MP-ID
mp-3268046
元素数
4
位点数
16
密度
9.2076
g/cm³
体积
423.83
ų
晶胞参数 a
8.6717
Å
晶胞参数 b
8.6717
Å
晶胞参数 c
8.7744
Å
α 角
125.52
°
β 角
125.52
°
γ 角
79.87
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.94 6.8440 1.0 (0,1,-1)
12.94 6.8440 3.1 (1,0,-1)
15.48 5.7254 2.5 (0,0,1)
15.92 5.5668 8.7 (1,-1,0)
20.47 4.3386 2.4 (1,1,-2)
20.47 4.3386 2.4 (1,1,0)
20.81 4.2683 2.6 (2,0,-1)
22.27 3.9912 3.8 (1,-1,1)
25.56 3.4845 18.7 (1,0,-2)
26.12 3.4122 26.8 (2,-1,-1)
31.11 2.8750 48.9 (2,2,-3)
31.25 2.8627 18.8 (0,0,2)
31.34 2.8543 36.1 (3,1,-2)
31.97 2.7995 100.0 (2,1,-3)
32.16 2.7834 22.7 (2,-2,0)
32.42 2.7616 99.5 (3,0,-2)
34.95 2.5675 1.5 (3,-1,-1)
35.13 2.5544 71.0 (3,1,-3)
35.13 2.5544 23.7 (3,1,-1)
35.25 2.5458 48.3 (1,-1,2)
35.25 2.5458 48.3 (1,-1,-2)
35.87 2.5033 70.0 (2,-2,1)
39.50 2.2813 1.1 (3,0,-3)
39.50 2.2813 1.1 (3,0,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.63659
eV/atom
能量/原子
-31.70631
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.7063
eV/atom
体积/原子
26.49
ų
c/a 比
1.0118

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0071
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Dy · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
13.1573
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.387%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3318
越小混合越稳定
VEC
7.750
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.873
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3268046
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy10Ga3TcBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3268046, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy10Ga3TcBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.67171771
_cell_length_b   8.67171816
_cell_length_c   8.77435903
_cell_angle_alpha   125.52287952
_cell_angle_beta   125.52287574
_cell_angle_gamma   79.87418430
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy10Ga3TcBi2
_chemical_formula_sum   'Dy10 Ga3 Tc1 Bi2'
_cell_volume   423.83302876
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.00801772  0.00480711  0.01282583  1.0
  Dy  Dy1  1  0.49519289  0.49198228  0.98717417  1.0
  Dy  Dy2  1  0.78586491  0.29805189  0.80136609  1.0
  Dy  Dy3  1  0.20194811  0.71413509  0.19863391  1.0
  Dy  Dy4  1  0.48449781  0.99668480  0.19863391  1.0
  Dy  Dy5  1  0.30680296  0.46133170  0.50000000  1.0
  Dy  Dy6  1  0.03866830  0.19319704  0.50000000  1.0
  Dy  Dy7  1  0.50331520  0.01550219  0.80136609  1.0
  Dy  Dy8  1  0.70530297  0.51982849  0.50000000  1.0
  Dy  Dy9  1  0.98017151  0.79469703  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.13875260  0.64484634  0.78359994  1.0
  Ga  Ga11  1  0.85515366  0.36124740  0.21640006  1.0
  Ga  Ga12  1  0.63178957  0.86821043  0.50000000  1.0
  Tc  Tc13  1  0.37382186  0.12617814  0.50000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.24534996  0.25465004  1.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.74534996  0.75465004  1.00000000  1.0
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