Th2MgGaSi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3268336 · 空间群: Pmc2_1 (#26)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th2MgGaSi

MP-ID

mp-3268336

元素数

位点数

密度

8.0000

g/cm³

体积

243.35

Å³

晶胞参数 a

7.4299

晶胞参数 b

7.4318

晶胞参数 c

4.4071

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

Pmc2_1

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.91	7.4318	1.4	(0,1,0)
16.87	5.2544	25.0	(1,1,0)
20.15	4.4071	57.2	(0,0,1)
23.95	3.7159	21.5	(0,2,0)
23.95	3.7149	22.4	(2,0,0)
26.40	3.3766	5.2	(1,1,1)
26.83	3.3234	36.9	(1,2,0)
26.83	3.3229	36.0	(2,1,0)
31.49	2.8409	35.8	(0,2,1)
31.50	2.8404	36.6	(2,0,1)
33.78	2.6535	100.0	(1,2,1)
33.78	2.6532	99.1	(2,1,1)
34.13	2.6272	11.4	(2,2,0)
38.30	2.3501	16.9	(1,3,0)
38.31	2.3496	17.1	(3,1,0)
39.95	2.2567	7.8	(2,2,1)
40.96	2.2036	32.1	(0,0,2)
43.65	2.0737	5.2	(1,3,1)
43.66	2.0733	5.2	(3,1,1)
43.93	2.0610	3.3	(2,3,0)
43.94	2.0608	3.5	(3,2,0)
44.59	2.0321	4.3	(1,1,2)
48.00	1.8954	7.1	(0,2,2)
48.00	1.8952	7.4	(2,0,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.60277

eV/atom

能量/原子

-34.87005

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-34.8701

eV/atom

体积/原子

24.33

Å³

c/a 比

0.5932

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.400

元素家族

Actinide

溶质分数

0.600

间隙分数

0.200

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3322

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

11.0757

J/mol·K

Ω 参数

2.1737

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.171%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2718

越小混合越稳定

VEC

2.600

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-7.279

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9610

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdyvg

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3268336

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2MgGaSi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3268336, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th2MgGaSi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.42984773
_cell_length_b   7.43178244
_cell_length_c   4.40712508
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2MgGaSi
_chemical_formula_sum   'Th4 Mg2 Ga2 Si2'
_cell_volume   243.34827751
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.67647073  0.17799290  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.17647073  0.32200710  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.82333765  0.67487353  0.50000000  1.0
  Th  Th3  1  0.32333765  0.82512647  0.50000000  1.0
  Mg  Mg4  1  0.99889664  0.99996194  0.00000000  1.0
  Mg  Mg5  1  0.49889664  0.50003806  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.62037919  0.88037923  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.12037919  0.61962077  0.00000000  1.0
  Si  Si8  1  0.88091579  0.37991415  0.00000000  1.0
  Si  Si9  1  0.38091579  0.12008585  0.00000000  1.0

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