DyY3(GaSi)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3268533 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

DyY3(GaSi)2

MP-ID

mp-3268533

元素数

位点数

密度

5.7133

g/cm³

体积

181.60

Å³

晶胞参数 a

3.9460

晶胞参数 b

5.7597

晶胞参数 c

7.9905

α 角

89.96

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.84654

eV/atom

能量/原子

-17.51600

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-17.5160

eV/atom

体积/原子

22.70

Å³

c/a 比

2.0250

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.9225

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.005080

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Y · 0.375

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.625

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3209

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.9819

J/mol·K

Ω 参数

0.5293

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

17.834%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3191

越小混合越稳定

VEC

4.125

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-28.675

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9528

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdzcv

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3268533

参考引用

The crystal structure and related material properties of DyY3(GaSi)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3268533, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_DyY3(GaSi)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.94596645
_cell_length_b   5.75970076
_cell_length_c   7.99050907
_cell_angle_alpha   89.96382980
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   DyY3(GaSi)2
_chemical_formula_sum   'Dy1 Y3 Ga2 Si2'
_cell_volume   181.60494571
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.75000000  0.88681350  0.82103449  1.0
  Y  Y1  1  0.25000000  0.37978191  0.67946172  1.0
  Y  Y2  1  0.25000000  0.12005081  0.17917573  1.0
  Y  Y3  1  0.75000000  0.61355080  0.32077175  1.0
  Ga  Ga4  1  0.25000000  0.87000496  0.53842868  1.0
  Ga  Ga5  1  0.25000000  0.63033590  0.03680453  1.0
  Si  Si6  1  0.75000000  0.12423129  0.46241514  1.0
  Si  Si7  1  0.75000000  0.37522984  0.96190696  1.0

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