导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Hf3Nb2Ga2Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3268731 · 空间群: Ama2 (#40)

基础信息

化学式
Hf3Nb2Ga2Si
MP-ID
mp-3268731
元素数
4
位点数
16
密度
10.1976
g/cm³
体积
289.46
ų
晶胞参数 a
7.8653
Å
晶胞参数 b
7.8520
Å
晶胞参数 c
5.4090
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.94
°
空间群
Ama2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
12.99 6.8154 6.9 (1,0,0)
13.01 6.8039 3.7 (1,-1,0)
20.98 4.2341 3.5 (1,-1,1)
22.61 3.9327 5.0 (2,-1,0)
22.65 3.9260 1.1 (1,-2,0)
26.15 3.4077 10.9 (2,0,0)
26.20 3.4019 26.9 (2,-2,0)
28.05 3.1808 64.1 (2,-1,1)
28.08 3.1773 27.2 (1,-2,1)
31.06 2.8797 1.2 (2,-2,1)
33.12 2.7045 51.4 (0,0,2)
34.84 2.5754 30.3 (3,-1,0)
34.86 2.5735 23.4 (3,-2,0)
34.91 2.5704 13.4 (2,-3,0)
34.91 2.5704 13.4 (1,-3,0)
35.72 2.5138 22.5 (1,0,2)
35.73 2.5133 31.5 (1,-1,2)
38.72 2.3253 40.6 (3,-1,1)
38.72 2.3253 40.6 (2,1,1)
38.75 2.3239 100.0 (3,-2,1)
38.79 2.3216 96.8 (2,-3,1)
39.67 2.2718 30.1 (3,0,0)
39.74 2.2680 52.0 (3,-3,0)
40.48 2.2284 93.6 (2,-1,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.64161
eV/atom
能量/原子
-27.71433
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.7143
eV/atom
体积/原子
18.09
ų
c/a 比
0.6877

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0009
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Hf · 0.375
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.125
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
0.9199
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.701%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2356
越小混合越稳定
VEC
4.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-22.848
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3268731
参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf3Nb2Ga2Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3268731, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Hf3Nb2Ga2Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.86533856
_cell_length_b   7.85199330
_cell_length_c   5.40904003
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.94389345
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf3Nb2Ga2Si
_chemical_formula_sum   'Hf6 Nb4 Ga4 Si2'
_cell_volume   289.46324497
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.74679153  0.74867980  0.25000000  1.0
  Hf  Hf1  1  0.74679153  0.99811173  0.75000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.99686049  0.24668690  0.25000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.25166869  0.25269086  0.75000000  1.0
  Hf  Hf4  1  0.25166869  0.99897883  0.25000000  1.0
  Hf  Hf5  1  0.99686049  0.75017359  0.75000000  1.0
  Nb  Nb6  1  0.66520535  0.33260217  0.00000000  1.0
  Nb  Nb7  1  0.66520535  0.33260217  0.50000000  1.0
  Nb  Nb8  1  0.33939302  0.66969651  0.50000000  1.0
  Nb  Nb9  1  0.33939302  0.66969651  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00135309  0.39736049  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00135309  0.60399260  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.39273441  0.39335801  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.39273441  0.99937640  0.75000000  1.0
  Si  Si14  1  0.60599343  0.00163026  0.25000000  1.0
  Si  Si15  1  0.60599343  0.60436317  0.75000000  1.0
获取直接链接