Ac5Pr(Ga4Cl)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3269258 · 空间群: I422 (#97)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ac5Pr(Ga4Cl)2

MP-ID

mp-3269258

元素数

位点数

密度

7.6729

g/cm³

体积

412.19

Å³

晶胞参数 a

8.3446

晶胞参数 b

8.3446

晶胞参数 c

8.3446

α 角

119.79

β 角

119.79

γ 角

90.37

空间群

I422

点群

422

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-1.05866

eV/atom

能量/原子

-30.83606

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-30.8361

eV/atom

体积/原子

25.76

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0019

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.500

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.500

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1433

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.5052

J/mol·K

Ω 参数

0.0000

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

22.025%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.6365

越小混合越稳定

VEC

2.938

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.000

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8247

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaaheaes

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3269258

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ac5Pr(Ga4Cl)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3269258, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ac5Pr(Ga4Cl)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.34457044
_cell_length_b   8.34456984
_cell_length_c   8.34457084
_cell_angle_alpha   119.78520450
_cell_angle_beta   119.78519909
_cell_angle_gamma   90.37244606
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ac5Pr(Ga4Cl)2
_chemical_formula_sum   'Ac5 Pr1 Ga8 Cl2'
_cell_volume   412.18742443
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ac  Ac0  1  0.66119781  0.16119781  0.82239461  1.0
  Ac  Ac1  1  0.16119781  0.33880219  0.50000000  1.0
  Ac  Ac2  1  0.83880219  0.66119781  0.50000000  1.0
  Ac  Ac3  1  0.75000000  0.75000000  0.00000000  1.0
  Ac  Ac4  1  0.33880219  0.83880219  0.17760539  1.0
  Pr  Pr5  1  0.25000000  0.25000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.94261985  0.43875573  0.78437511  1.0
  Ga  Ga7  1  0.84561938  0.06124427  0.50386512  1.0
  Ga  Ga8  1  0.34175426  0.84561938  0.78437511  1.0
  Ga  Ga9  1  0.43875573  0.65438062  0.49613488  1.0
  Ga  Ga10  1  0.55738015  0.34175426  0.49613488  1.0
  Ga  Ga11  1  0.06124427  0.55738015  0.21562489  1.0
  Ga  Ga12  1  0.15824574  0.94261985  0.50386512  1.0
  Ga  Ga13  1  0.65438062  0.15824574  0.21562489  1.0
  Cl  Cl14  1  0.49558677  0.49558677  0.00000000  1.0
  Cl  Cl15  1  0.00441323  0.00441323  1.00000000  1.0

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